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电源招聘专家 针对便携设备的高端负载开关及其关键应用参数2013-03-06 关键字：便携设备 高端负载 应用参数 对于各具特色的移动电话、移动 GPS 设备和消费电子小玩意等电池供电的便携式设备应用来说，高端负载开关一直受到众多工程师和设计人员的青睐。本文将以易于理解的非数学方式全方位介绍基于MOSFET 的高端负载开关，并讨论在设计和选择过程中必须考虑的各种参数。 高端负载开关的定义是：它通过外部使能信号的控制来连接或断开至特定负载的电源 (电池或适配器)。相比低端负载开关，高端负载开关“流出”电流至负载，而低端负载开关则将负载接地或者与地断开，因此它从负载“汲入”电流。 高端负载开关不同于高端电源开关。高端电源开关管理输出电源，因此通常会限制其输出电流。相反地，高端负载开关将输入电压和电流传递给“负载”，并且它不具备电流限制功能。 高端负载开关包含三个部分： 传输元件：本质上是一个晶体管，通常为一个增强型 MOSFET 。传输元件在线性区工作， 将电流从电源传输至负载，就像一个“开关”(与放大器相对应)。 栅极控制电路：向传输元件的栅极提供电压来控制导通或关断。它还被称为电平转换电路，外部使能信号通过电平转换来产生足够高或者足够低的栅极电压(偏置电压)来全面控制传输元 件的导通和关断。 输入逻辑电路：主要功能是解释使能信号，并触发栅极控制电路来控制传输元件的导通和关断。 传输元件 传输元件是高端开关最基本的组成部分。最经常考虑的参数，特别是开关导通时的阻抗(RDSON)，与传输元件的结构和特性有直接关系。 由于增强型MOSFET 一般在工作期间消耗的电流较少，在关断期间泄漏的电流也较少， 并且具有比双极晶体管更高的热稳定性，所以被广泛用作高端负载开关中的传输元件。本文 将专门介绍基于增强型MOSFET 的传输元件。增强型MOSFET 传输元件可以是N 沟道 FET， 也可以是P 沟道 FET。 当 N 沟道 FET 的栅极电压(VG)比其源极电压(VS)和漏极电压(VD)高出一个阈值(VT)时，N 沟道 FET 就会被完全转换至导通状态或者工作于其线性区。以下式子给出了导通条件的数学表达式： VG －VS＝VGS ＞VT VG －VT＞VD 或者是， VGS －VT＞VDS 其中，VG 为栅极电压、VS 为源极电压、VD 为漏极电压、VT 为 FET 的阈值电压、VGS 为栅－源极压降、VDS 为漏－源极压降，所有参数均为正。 图 1：具有内置电荷泵的N 沟道FET 高端负载开关 当 N 沟道 FET 导通时，漏极电流 ID 为正，从漏极流向源极(如图 1 和图 2 所示)。当 P 电源招聘专家沟道 FET 的栅极电压(VG)比其源极电压(VS)和漏极电压(VD)低出一个阈值(VT)时，P 沟道 FET 就会被完全转换至导通状态或者工作于其线性区： 图 2：具有额外VBIAS 输入的N 沟道 FET 高端负载开关VS－VG ＝VSG ＞VT VD －VT＞VG 或者是， VSG －VT＞VSD 其中，VG 为栅极电压、VS 为源极电压、VD 为漏极电压、VT 为 FET 的阈值电压、VSG 为源栅极压降、VSD 为源漏极压降，这里的所有参数也均为正的。 当 P 沟道 FET 处于导通状态时，漏极电流ID 为负，从源极流向漏极(图 3)。N 沟道 FET 将电子用作“多数载流子”，与 P 沟道 FET 的“多数载流子”空穴相比，电子具有更高的移动率。这意味着，在相同的物理密度下，N 沟道 FET 比 P 沟道 FET 具有更高的跨导，从而使得在导通状态期间产生较低的漏－源极阻抗(即 RDSON) 。N 沟道FET 的 RDSON 一般为相同尺寸的 P 沟道 FET 的 RDSON 的 1/3~1/2，漏极电流 ID 也会高出相应的倍数(未考虑连接线厚度和封装等其它限制参数)。这还表示，对于相同的RDSON 和 ID，N 沟道FET 一般需要较少的硅片，因此它的栅极电容和阈值电压比P 沟道FET 要低。 图 3：P 沟道FET 高端负载开关 此外，由于当开关导通时N 沟道 FET 的 VD 比 VG 低 VT，并且 VD 一般与VIN 相连，因此有可能传递给负载的VIN 非常低。理论上讲，N 沟道 FET 开关的VIN 可以低至接近GND ， 并且不高于VG-VT。另一方面，P 沟道FET 开关传递给负载的VIN(与 VS 相连)总是高于 VG+VT 。但这并不表示在任何情况下选择传输元件时N 沟道FET 都比P 沟道FET 好。 如上所述，N 沟道FET 的一个基本属性是开关导通时工作在线性区，VG 要比 VD 高VT。但是，由于 VD 几乎总是与VIN(通常是开关的最高电压)相连，因此 VG 必须从现有电压(如外部使