新颖的教学用稳压电源的设计.docx

电源招聘专家 一种 GaN 宽禁带功率放大器的设计 半导体功率器件 按材料划分大体经历了三个阶段。第一代半导体功率器件以 Si 双极型功率晶体管为主要代表，主要应用在 S 波段及以下波段中。Si 双极型功率晶体管在L 波段脉冲输出功率可以达到数百瓦量级，而在 S 波段脉冲功率则接近200W。第二代半导体功率器件以 GaAs 场效晶体管为代表，其最高工作频率可以达到 30～100 GHz。GaAs 场效应晶体管在 C 波段最高可输出功率接近100W，而在 X 波段则可达到25 W。第三代半导体功率器件以SiC 场效应晶体管和 GaN 高电子迁移率晶体管为主要代表。同第一代、第二代半导体材料相比，SiC 和 GaN 半导体材料具有宽禁带、高击穿场强、高饱和电子漂移速率以及抗辐射能力强等优点，特别适合应用于高频、高功率、抗辐射的功率器件，并且可以在高温恶劣环境下工作。由于具备这些优点，宽带半导体功率器件可以明显提高电子信息系统的性能，广泛应 用于人造卫星、火箭、雷达、通讯、战斗机、海洋勘探等重要领域。 本文基于 Agilent ADS 仿真软件设计实现一款高效 GaN 宽禁带功率放大器，详细说明设计步骤并对放大器进行了测试，结果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz 内实现功率15W 以上，附加效率超过67％的输出。 GaN 宽禁带功率放大器的设计 放大器设计指标 在2．3～2．4 GHz 工作频段内，要求放大器连续波工作，输出功率大于10 W，附加效率超过60％。 功率管的选择 根据放大器要求的设计指标，设计选用的是某进口公司提供的SiC 基GaN 宽禁带功率管， 其主要性能参数见表1。 放大器电路设计 图1为功率放大器原理框图。图1中，IMN＆Bias 和 OMN＆Bias 分别为输入匹配网络及输入偏置电路和输出匹配网络及偏置电路，VGS 和 VDS 分别为栅极-源极工作电压和漏极-源极工作电压。采取的设计思路是：对功率管进行直流分析确定放大器静态工作电压；进行稳定性分析和设计；利用源牵 引(Source Pull)和负载牵引(Load Pull)方法确定功率管匹配电路的最佳源阻抗 ZS 和最佳负载阻抗 ZL(ZS 和 ZL 的定义见图1)；根据获得的源阻抗与负载阻抗进行输入、输出匹配电路设 计以及偏置电路设计；加工、调试及改版。 电源招聘专家 直流分析 对功率放大器进行直流分析的目的是通过功率管的电流-电压(I-V)曲线确定功率管的静态工作电压。由于厂家提供了功率管的 ADS 模型，因此设计中直接利用该模型进行仿真设计(下同)。 图2为在 Agilent ADS 软件中对器件模型进行直流分析的结果。根据厂家给出的器件规格参数以及图2中的 I-V 曲线，选用VDS=28 V，VGS=-2．5 V 作为放大器的工作电压。为使放大器能够实现较高的效率，这里选取静态电压让放大器在C 类条件下工作。 稳定性分析 稳定性是放大器设计中需要考虑的关键因素之一，它取决于晶体管的 S 参数和置端条件。功率放大器的不稳性将产生不希望出现的寄生振荡，导致结果失真，甚至设计失败。因此，在进行放大器阻抗匹配电路设计之前，必须进行稳定性分析与设计。 图3给出了功率管稳定系数随频率的变化曲线。图3中，稳定系数 K 与 D 分别定义为： 从图3可以看出，在设计频段内稳定系数K 和D 分别满足大于1和小于1的条件，所以功 率管为无条件稳定。 电源招聘专家 源牵引与负载牵引分析 源牵引／负载牵引分析方法原理：放大器在大信号电平激励下，通过连续变换源阻抗／ 负载阻抗对功率管进行分析，然后在 Smith 阻抗圆图上画出等功率曲线和等增益曲线，并根据设计要求选择出最佳源阻抗／最佳负载阻抗准确设计出满足要求的功率放大器。 分析中选取中心频率 f=2．35 GHz。为准确获取功率管的最佳源阻抗ZS 和最佳输出阻抗ZL，分析过程中遵循效率优先的策略，并采取如下步骤： 首先，假定 ZS(O)=10 Ω 进行负载牵引分析获得 ZL(1)；然后，根据 ZL(1)进行源牵引分析获得 ZS(1)；再根据 ZS(1)进行负载牵引分析得到 ZL(2)，…。重复进行源牵引分析与负载牵引分析，直至前后两次得到的负载阻抗ZL 相等或者相差很小为止。 图4为进行源牵引分析和负载牵引分析得到的功率管输出功率、附加效率(Power Added Efficiency，PAE)等高线图。图4中，功率管的附加效率定义为： 式中：POUT，PIN 和 PDC 分别为放大器输出功率、输入功率和电源消耗功率；ηPAE 代表功率附加效率。 电源招聘专家 从图4中可以读出功率放大器的最佳源阻抗与最佳负载阻抗分别为 ZS=2．1-j6．5 Ω 与 ZL=13+j7．8 Ω。 匹配网络、偏置电路设计 匹配