半导体工艺试验.docVIP

微机电系统课程实验之一 集成电路基本制造工艺实验 《微机电系统》课程组编写 电子科技机械电子工程学院 2005年3月 实验名称：集成电路基本制造技术工艺实验 一、实验目的 熟习集成电路基本制造工艺的一般步骤。 掌握集成电路基本制造工艺各个步骤的要求。会计算方块电阻。 熟习温度控制、溶液配比要求等基本工艺参数。 二、实验原理 集成电路基本制造工艺建立在一些已经成熟的工艺步骤基础上，为了认识其生产过程，下边我们就认识这些工艺步骤。基本的工艺步骤是：氧化层生长、热扩散、光刻、离子注入、淀积（蒸发）和刻蚀等步骤。 （一）氧化 氧化是在硅片表面生长一层二氧化硅（SOi2）膜的过程。这层膜的作用是： 保护和钝化半导体表面：作为杂质选择扩散的遮盖层；用于电极引线和其下边 硅器件之间的绝缘；用作MOS电容和MOS器件栅极的介电层等等。其实现的方法有：高温氧化（热氧化）、化学气相淀积（CVT）、阳极氧化、溅射等。氧化即生长在硅片表面上，也向硅片里面延伸，如图1所示。 图1在硅表面生长氧化层 一般氧化层的45%的厚度是在初始表面上形成，46%是在初始表面以下生成。平时氧化层的厚度，薄的可以小于500A（栅氧化层），厚的可以大于1000?（场氧化层）。氧化的范围为700-1100℃，氧化层的厚度和它的生进步间成比率。 常用的氧化方法是高温氧化。所以这里，我们重视重申一下高温氧化。高 温氧化就是把硅衬底