低载流子浓度下非平衡载流子寿命的光电导率的修正、硅片、硅块寿命数据分析.pdfVIP

GB/T XXXXX—XXXX 附 录 A （规范性附录） 低载流子浓度下非平衡载流子寿命的光电导率的修正 A.1 低非平衡载流子浓度下的陷阱效应的修正 A.1.1 在多晶硅试样中，尤其是高温处理前，一些样本出现了明显的特征：在低非平衡载流子浓度下， 从公式6或公式7得到的表观寿命急剧增加，如图A.1所示。这通常被称为陷阱效应，具有明显的特征。 这种明显提高的寿命是假象，而不是由于自由电子-空穴对形成的。这种高寿命 （在图A.1中超过了80 μs）不应该被确认为载流子复合寿命，因为这种过量的光电导不对应于硅中自由电子-空穴对的寿命， 也不能显著改善太阳能电池中的电流或电压。 图A.1 准稳态模式中数据修正 A.1.2 图A.1说明了准稳态模式中简单的数据修正。修正方法见图A.2，图中说明了光电导与光照强度 之间的函数关系。低光照强度下，光电导随着光照强度增加而增加，呈现明显的线性关系。这些点被称