绝缘栅型场效应管.pdfVIP

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2022-06-13 发布于陕西
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绝缘栅型场效应管.pdf

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《模拟电子技术》场效应管及放大电路绝缘栅型场效应管 1.增强型（N沟道） MOS-FET结构绝缘栅型场效应管工作原理(N沟道增强型） uDS对iD 影响 uGS对iD 影响从预夹断后，uGS 的增大几 uGS增大，反型层（导电沟道）乎全部用来克服夹断区的将变厚、变长。当反型层将两个电阻，iD几乎仅仅受控于 N 区相接时，形成导电沟道。 uGS ，进入恒流区 uGS(th)称为开启电压绝缘栅型场效应管输出特性(N沟道增强型） u 恒流区 GS i I ( 1) D DO U GS(th) 式中： I DO为uGS 2UGS(th)时的iD 绝缘栅型场效应管 2. 耗尽型（N沟道） ﹡由于结构的特殊性uGS 0时就存在导电沟道。uGS小到一定值才夹断，uGS(off)称为夹断电压。 ﹡耗尽型MOS管在uGS ＞0、＜0、＝0时均可导通。绝缘栅型场效应管输出特性（耗尽型N沟道MOS管）电流方程与结型相同 uGS 2 恒流区 iD I DSS (1 ) U GS(off)