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《模拟电子技术》 三极管及放大电路 1 晶体三极管及放大电路 1 1. 晶体三极管放大原理 2. 晶体管共射特性曲线 3. 放大电路概述 4. 基本共射放大电路的工作原理 晶体三极管放大原理 一、三极管的结构和符号 结构特点： 发射区: 多子浓度高 基区: 多子浓度很低，且很薄 集电区: 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结 晶体三极管放大原理 二、晶体管的放大原理 晶体管的最基本特性：电流放大作用 1. 晶体管的放大条件 发射结正偏：uBE ＞UON 集电结反偏：uCE≥UBE 或 对NPN管：uC uBuE 对PNP管：uC uBuE 晶体三极管放大原理 2. 内部载流子的运动 发射区多子浓度高使大量电子从发射 区扩散到基区，扩散运动形成IE 电流 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩 散到基区的电子与空穴复合 复合运动形成IB 电流 因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 电子与空穴均参与导电 漂移运动形成IC 电流 故称双极型晶体管 晶体三极管放大原理 3.电流分配关系 IE ＝IB ＋IC IC  IB IE ＝(1+ )IB I i  C  C I i  共射极电流放大系数 B B I i C C   α共基极电流放大系数 I i E E   1  晶体管共射伏安特性曲线 三、晶体管的伏安特性曲线 是从晶体管外部电流、电压之间关系反映晶体管的特性。 晶体管的接法不同，其伏安特性也不相同。 1.共发射极输入特性曲线 i f (u ) B BE UCE 曲线特性 ﹡近似于二极管的伏安特性。 ﹡用UCE≥1V 曲线，可代表输入特性 晶体管共射伏安特性曲线 2. 共发射极输出特性曲线 iC f (uCE ) iB 分三个工作区，各有特点 载止区：发射结载止 放大区：发射结正偏、集电结反偏 饱和区：发射结、集电结均正偏，没有电流放大作用 （iC不受i