[半导体培训资料]n型欧姆接触的研究.pdfVIP

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2022-06-15 发布于重庆
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[半导体培训资料]n型欧姆接触的研究.pdf

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N型4H-SiC欧姆接触的研究欧姆接触的影响因素 • 晶片表面载流子浓度 • 金属的选择 • 晶片表面的预处理 • 金属化合金的条件获得好的欧姆接触的方法 •1、高掺杂 •2、退火 • 半导体侧高掺杂能使势垒变薄，隧穿几率增大。 • 沉积金属之后退火（PDA）会引起金属与SiC 的化学反应（比如形成硅化物、碳化物以及三元相），从而降低势垒高度。因此是最好的方法。金属的选择