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隆基股份HJT电池工艺流程简图.pdf

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    HJT电池综述 1  异质结HJT ( Hereto- junction with Intrinsic Thin -layer )电池，以N型单晶硅(C-Si)为衬底光吸收区，经过 制绒清洗后，其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H)和掺杂的P型非晶硅(P-a-Si:H) ， 和硅衬底形成p-n异质结。  硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i-a-Si:H和掺杂的N型非晶硅(n-a-Si:H)形成背表

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