第四章场效应管习题答案...docx

(完整版)第四章场效应管习题答案.. (完整版)第四章场效应管习题答案.. 第四章 场效应管基本放大电路 选择填空 1．场效应晶体管是用 控制漏极电流的. a。 栅源电流 b。 栅源电压 c。 漏源电流 d。 漏源电压2．结型场效应管发生预夹断后，管子 。 a。 关断 b。 进入恒流区 c。 进入饱和区 d. 可变电阻区 场效应管的低频跨导g m 是 . a. 常数 b。 不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关 4。 场效应管靠 导电. a。 一种载流子 b。 两种载流子 c. 电子 d. 空穴5。 增强型 PMOS 管的开启电压 。 a. 大于零 b。 小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 增强型 NMOS 管的开启电压 。 大于零 b. 小于零 c。 等于零 d. 或大于零或小于零 只有 场效应管才能采取自偏压电路。 增强型 b. 耗尽型 c。 结型 d。 增强型和耗尽型 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大,目的是 。 a。 设置合适的静态工作点 b。 减小栅极电流 c. 提高电路的电压放大倍数 d。 提高电路的输入电阻 源极跟随器(共漏极放大器)的输出电阻与 有关。 管子跨导 g m b。 源极电阻 R S c. 管子跨导 g m 和源极电阻R S 10。 某场效应管的 I DSS 为 6mA，而 I DQ 自漏极流出，大小为 8mA，则该管是 . a。 P 沟道结型管 b。 N 沟道结型管 c。 增强型 PMOS 管 d。 耗尽型PMOS 管 e。 增强型 NMOS 管 f. 耗尽型 NMOS 管 解答： 1。b 2。b 3.b，c 4. a 5.b 6.a 7。 b,c 8。 d 9.c 10。d 已知题 4—2 图所示中各场效应管工作在恒流区,请将管子类型、电源 V DD 的极性（+、—)、u GS 的极性（0， VDDRDDGVTSV V DD R D D G VT S V DD R D D G VT S V DD R D D VT G S V DD R D D VT G S V DD R D D VT G S V DD R D D VT G S （a） （b） （c） （d） （e） （f） 题4-2图 图号项目 图号 项目 沟道类型增强型或耗尽型 电源 V 极 D （a） (b） (c） (d） (e） （f) N P N N P P 结型 结型 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 ＋ － ＋ ＋ － － 性 性 U 极性 GS ≤0 ≥0 〉0 任意 〈0 任意 4—3 试分析如题 4—3 图所示各电路能否正常放大，并说明理由。 RRDG1 R R D G1 C O C i + + u - + R G2 VT u O i - - R R D G1 C O C i VT + + + u R u O - i G2 - - DD DD （a） （b） V RDCO R D C O C i VT + u - i R G R C S S D DD C + O R G1 + C i VT u O u R O G2 - - （c） （d） RDCo R D C o C i VT + + u - R G u O i - CC DD R D C CO C i + VT + u R O u G Ci - C S- R S S （e） （f） 题4-3图 解： （a)不能. VT 是一个 N 沟道 JFET，要求偏置电压 U  满足 U U 〈0，而电路中 VT 的偏置电压 U  0，因此不能 进行正常放大. GS GS,off GS GS （b)能. VT 是一个 P 沟道 JFET，要求偏置电压 U  满足 0〈U U  ，而电路中 VT 的偏置电压 U  〉0，只要在 0U 〈 U GS,off GS 范围内就能进行正常放大。 GS GS,off GS GS （c)能。 VT 是一个 N 沟道 MOSFET，要求偏置电压 U  满足 U 〉 U  〉0。电路中 U  0，如果满足 U U 就可以正常放大。 GS GS GS，off GS GS GS，off （d)不能。 虽然 MOSFET 的漏极 D 和源极S 可以颠倒使用，但是此时衬底的接法也需要调整.虽然电路中自给偏置电 压 U 〉0，也可能满足 U U 〉0。但是 D 极和衬底 B 之间的 PN 结正向导通,因此电路不能进行信号放 GS GS 大。 GS，off （e)不能 VT 是一个 N 沟道增强型 MOSFET，开启电压 U  0，要求直流偏置电压 U 〉 U  ,电路中 U  =0，因此不能 进行正常放大。 on GS on GS (f）能。 VT