国开电大光伏电池原理与工艺第四次形考任务答案.pdfVIP

国开电大光伏电池原理与工艺第四次形考任务答案 题目顺序是随机的，使用查找功能 （Ctrl+F）进行搜索 零号电大 单项选择题 题目： （）接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。答案：金属与半导体 题目：1973年 GaAs 三层结构异质结太阳电池，实验室效率达到 （），超过了硅太阳电池。答 案：22% 题目：半导体硅中，n+/p型硅太阳电池通常用 （）为掺杂元素。答案：硼 题目：单晶硅的生产工艺在太阳电池领域主要应用的是 （）。答案：直拉法 题目：非晶硅太阳电池的哪一方面限制了非晶硅太阳电池的应用 （）。答案：光致衰减效应 题目：硅太阳电池地面应用倾