真空蒸发制备CdSexTe1-x薄膜及其性能分析.docxVIP

真空蒸发制备CdSexTe1-x薄膜及其性能分析 按不同比例混合CdTe和CdSe两种化合物，利用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了CdSexTe1-x三元化合物薄膜，分别利用XRD、SEM、EDX、XPS、紫外-可见分光光度计对薄膜的物相构造、表面形貌、元素组成以及光学性能开展了测试，分析了x值和热处理对薄膜的影响。测结果说明，薄膜均为立方闪锌矿构造的CdSexTe1-x三元化合物，沿(111)晶面择优生长，晶格常数与x呈线性递减关系；随x值增加薄膜的光学带隙逐渐减小，x=0.57时减小到最小值1.41eV，然后又增大；升高热处理温度，可以改善薄膜的结晶程度，增加对光的吸收范围，减小光学带隙。  II-VI族化合物半导体以优异的光电性能，在红外探测器、核辐射探测器、红外激光窗口、光电化学电池及光伏电池中得到广泛的应用，是国内外研究较多的太阳能光电转换材料。其中CdS、CdSe、CdTe和(Cd，Zn)S等镉化合物均为直接带隙半导体材料，是II-VI族化合物半导体中应用比较广泛的光电子材料，CdSe在多硫体系中稳定性优于CdTe，因此在光电化学电池中是一种性能较理想的光电极材料，但是对于吸收太阳光能来说，CdSe的禁带宽度并不是最适合的，限制了转换效率的提高。因此，人们在调整CdSe的光学带隙方面做了大量的工作。  近年来，大量的理论和实验研究说明，可以将CdSe和CdTe合成三元化合物CdSexTe1-x，CdSexTe1-x在多硫体系中的稳定性可以与CdSe相媲美，并且可以通过改变x值连续改变化合物的光学带隙和晶格常数，使CdSexTe1-x的光学带隙接近吸收太阳光光谱的最正确能隙1.45eV，有利于太阳能的转换。  CdSexTe1-x薄膜的制备方法比较多，例如电子束蒸发、热壁真空沉积、分子束外延、电沉积、化学合成法等，但这些方法大都需要复杂的设备，成本较高。我们采取了设备简单，易于操作，成本低廉的真空蒸发技术，在玻璃衬底上制备了性能稳定的CdSexTe1-x三元化合物薄膜，并对其构造、表面形貌、光电性能、元素组成开展了分析，还考虑了热处理温度对薄膜的影响，为CdSexTe1-x薄膜在光电子器件中的应用提供实验依据。 1、实验  1.1、薄膜的制备  采用真空蒸发技术制备CdSexTe1-x三元化合物薄膜，首先将高纯CdTe和CdSe粉末按x=0、0.35、0.75、0.85、1等配比混合并放入玛瑙研钵中开展充分研磨、粉化，然后置入蒸发源，再将清洗干净烘干的玻璃衬底放入蒸发室，调节蒸发电流为65A。待蒸发室抽真空至8×10-4 Pa以上时开展蒸发。实验中衬底的温度为130℃，衬底转速为2r/min，实验中用一台石英膜厚监控仪在线监控蒸镀厚度d=1.1μm。最后将制备好的薄膜样品置于自动控温扩散炉中，在N2气氛中开展热处理，处理温度分别为300℃、350℃、400℃、450℃，处理时间为15min。  1.2、薄膜的性能测试  利用荷兰Philip公司生产的PW1830/40型X射线衍射仪对样品的晶体构造开展了测试，辐射源为CuKα线；利用日本日立公司生产的S-4800冷场发射扫描电子显微镜测试样品的表面形貌，并结合EDX对样品的元素组成开展分析；利用英国ULVAC-PHI.INC生产的KratosAmicus型X射线光电子能谱仪对刻蚀10s后的薄膜化学成分开展分析；利用美国PerkinElmer公司生产的Lambda750s紫外-可见分光光度计对薄膜的光学透过率开展了测试。 结论  (1)实际得到的薄膜的x值比配比x值偏小，对于x的所有取值，薄膜均为立方闪锌矿构造的CdSexTe1-x三元化合物，择优取向为(111)晶面，晶格常数与x呈线性递减关系。  (2)从SEM测试结果看出，薄膜表面的颗粒尺寸明显随着x值的增大而减小。  (3)随x值增加薄膜的光学带隙逐渐减小，x=0.57时减小到最小值1.41eV，然后又增大，主要因为Se成分在薄膜中的含量不同，因此可以通过改变x值调节CdSexTe1-x薄膜的光学带隙。  (4)升高热处理温度，可以改善薄膜的结晶程度，增加对光的吸收范围，减小光学带隙。