晶硅太阳能电池工艺简介1.pptVIP

刻蚀+去PSG检测内容 边缘P-N型（冷热探针法） 外观 （目测） 第三十一页，共七十四页。 PECVD镀膜 PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等离子增强化学 气相沉积 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态,这种形态就称为等离子态，等离子体从宏观来也是电中性但是在局部可以为非电中性。 第三十二页，共七十四页。 PECVD镀膜工艺目的 P型衬底 氮化硅减反层 n+ 发射极 在扩散后的硅片上形成一层致密的氮化硅（SiNx）层，进一步降低反射率。 富H的氮化硅在经过一定的高温后（烧结过程）能够对硅体材料形成很好的钝化作用。 阻挡金属离子和水蒸汽的扩散。 形成良好的绝缘层。 第三十三页，共七十四页。 PECVD原理 PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法的特点是等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，能显著降