第四章掺杂原理与技术.pptVIP

离子注入的沟道效应 前述高斯分布的投影射程及投影射程的标准偏差能很好地说明非晶硅或小晶粒多晶硅衬底的注入离子分布．只要离子束方向偏离低指数(low-index)晶向(如<111>)，硅和砷化镓中的分布状态就如在非晶半导体中一样．在此情况下，靠近峰值处的实际杂质分布，即使延伸到低于峰值一至两个数量级处也一样，如右图所示．然而即使只偏离<111>晶向7o，仍会有一个随距离而成指数级exp(-x/?)变化的尾区，其中?典型的数量级为0.1?m． 4.3 离子注入 第118页，共168页，编辑于2022年，星期二 * 什么是离子注入 离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质 ? 离子注入的基本过程 将某种元素的原子或携带该元素的分子经离化变成带电的离子 在强电场中加速，获得较高的动能后，射入材料表层（靶） 以改变这种材料表层的物理或化学性质 4.3 离子注入 第86页，共168页，编辑于2022年，星期二 离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。注入能量介于1keV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm~10μm，离子剂量变动范围从用于阈值电压调整的1012/cm3到形成绝缘层的1018/cm3。相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。 高能的离子由于与衬底中电子和原子核的碰撞而失去能量，最后停在晶格内某一深度。平均深度由于调整加速能量来控制。杂质剂量可由注入时监控离子电流来控制。主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。 ? 4.3 离子注入 第87页，共168页，编辑于2022年，星期二 离子注入特点 各种杂质浓度分布与注入浓度可通过精确控制掺杂剂量（1011-1018 cm-2）和能量（1-400 keV）来达到 平面上杂质掺杂分布非常均匀（1% variation across an 8‘’ wafer） 表面浓度不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度 注入元素可以非常纯，杂质单一性 可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质；可防止玷污，自由度大 低温过程（因此可以用光刻胶作为掩膜），避免了高温过程引起的热扩散 横向效应比气固相扩散小得多，有利于器件尺寸的缩小 会产生缺陷，甚至非晶化，必须经高温退火加以改进 设备相对复杂、相对昂贵（尤其是超低能量离子注入机） 有不安全因素，如高压、有毒气体 4.3 离子注入 第88页，共168页，编辑于2022年，星期二 中等电流离子注入机示意图特点 4.3 离子注入 第89页，共168页，编辑于2022年，星期二 * 磁分析器 离子源 加速管 聚焦 扫描系统 靶 r BF3：B++，B+，BF2+，F+, BF+，BF++ B10 B11 4.3 离子注入 第90页，共168页，编辑于2022年，星期二 源（Source）：在半导体应用中，为了操作方便， 一般采用气体源，如 BF3，BCl3，PH3，AsH3等。如用固体或液体做源材料，一般先加热，得到它们的蒸汽，再导入放电区。 b) 离子源（Ion Source）：灯丝（filament）发出的自由电子在电磁场作用下，获得足够的能量后撞击源分子或原子，使它们电离成离子，再经吸极吸出，由初聚焦系统聚成离子束，射向磁分析器 气体源：BF3，AsH3，PH3，Ar，GeH4，O2，N2，... 离子源：B ， As，Ga，Ge，Sb，P，... 4.3 离子注入 第91页，共168页，编辑于2022年，星期二 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。 4.3 离子注入 第92页，共168页，编辑于2022年，星期二 注入离子如何在体内静止？ LSS理论——对在非晶靶中注入离子的射程分布的研究 1963年，Lindhard, Scharff and Schiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称 LSS理论。 该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程：(1) 核阻止（nuclear stopping）；(2) 电子阻止 （electronic stopping） 总能量损失为两者的和 4.3 离子注入 第93页，共168页，编辑于2022年，星期二 核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论 阻止本领（stopping power）：材料中注入离子的能量损失大小 单位路程上注入离子由于核阻止和电子阻止所损失的能量 (Sn(E), Se(E) )。 核阻止本领：来自靶原子核的阻止，经典两体碰撞理论。 电子阻止本领：