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1、什么是哈佛结构和冯·诺伊曼 (Von Neuman )结构?它们有什么区别?
答 :(1) 冯·诺伊曼 (Von Neuman )结构
该结构采用单存储空间 ,即程序指令和数据共用一个存储空间 ,使用单一的地址和数
据总线 ,取指令和取操作数都是通过一条总线分时进行。
(2 )哈佛 (Harvard )结构
该结构采用单存储空间 ,即程序指令和数据共用一个存储空间 ,使用单一的地址和数
据总线 ,取指令和取操作数都是通过一条总线分时进行。当进行高速运算时 ,不但不能同
时进行取指令和取操作数,而且还会造成数据传输通道的瓶颈现象,其工作速度较慢。
两者区别 :
哈佛 (Harvard )结构 :该结构采用双存储空间 ,程序存储器和数据存储器分开 ,有
各自独立的程序总线和数据总线 ,可独立编址和独立访问 ,可对程序和数据进行独立传
输 ,使取指令操作、指令执行操作、数据吞吐并行完成 ,大大地提高了数据处理能力和指
令的执行速度 ,非常适合于实时的数字信号处理。
冯·诺伊曼 (Von Neuman )结构 :当进行高速运算时 ,不但不能同时进行取指令和取
操作数 ,而且还会造成数据传输通道的瓶颈现象,其工作速度较慢。
2、TMS320VC5416-160 的指令周期是多少毫秒?它的运算速度是多少MIPS ?
答 :TMS320VC5416-160 的指令周期16ns ,它的运算速度是160MIPS。
3、TMS320C54x 芯片的流水线操作共有多少个操作阶段?每个阶段执行什么任务?完成
. 学习参考 .
专业.专注
一条指令都需要哪些操作周期?
答 :(1)六个操作阶段。
(2)各个阶段执行的任务 :
① 预取指P :将 PC中的内容加载到PAB
② 取指F :将读取到的指令字加载到PB
③ 译码D :将 PB的内容加载IR ,对IR的内容译码
④ 寻 A :CPU将数据1或数据2的读地址或同时将两个读地址分别加载到数据
地址总线DAB和CAB中,并对辅助寄存器或堆栈指针进行修正。
⑤ 读数R :将读出的数据1和数据2分别加载到数据总线DB和CB中。若是并行
操作指令 ,可同时将数据3的写地址加载到数据地址总线EAB中。
执行X :执行指令 ,写数据加载EB。
(3)完成一条指令需要的周期 :
需要 :预取指周期、取指周期、译码周期、寻址周期和读数周期。
4、TMS320VC5402 共有多少可屏蔽中断?它们分别是什么?NMI和RS属于哪一类中断
源?
答 :(1)TMS320VC5402 有 13 个可屏蔽中断。
(2)TMS320VC5402 有 的13 个可屏蔽中断分别是 :(课本56页最下面)
(3)RS 和NMI属于外部硬件中断。
. 学习参考 .
专业.专注
5、试分析下列程序的流水线冲突,画出流水线操作图。如何解决流水冲突?
STLM A ,AR0
STM #10 ,AR1
LD *AR1 ,B
答 :流水线图如下图 :
解决流水线冲突 :最后一条指令 (LD *AR1 ,B )将会产生流水线冲突 ,在它前面加入
一条 NOP 指令可以解 决流水线冲突。
6、 已知(1030H)=0050H,AR2=1040H,AR3=1060H,AR4=1080H。
MVKD 1030H ,*AR2
MVDD *AR2 ,*AR3
. 学习参考 .
专业.专注
MVDM 1060H, AR4
运行以上程序后 ,(1030H)、(1040H )、*AR3 和AR4 的值分别等于多少?
答 (1030H)=0050H ,(1040H)=0050H ,*AR3=0050H ,AR4=0050H
7、 已知,(1080H)=0020H、(1081H )=0030H。
STM #1080H,AR0
STM #1081H,AR1
LD *AR0 ,16 ,B
ADD *AR1 ,B
运行以上程序
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