CMOS模拟集成电路版图设计：基础、方法与验证 PPT课件 第一章 先进集成电路器件.pptx

第一章 先进集成电路器件;先进集成电路器件概述;概述;概述;概述;概述;平面全耗尽绝缘衬底上硅MOSFET（planar FD-SOI MOSFET）;平面全耗尽绝缘衬底上硅MOSFET;采用薄氧化埋层的原因;厚氧化埋层的电场散射;厚氧化埋层的电场散射;减薄氧化埋层厚度的益处;减薄氧化埋层厚度的益处;薄氧化埋层的设计挑战;超薄体中的二维效应;反亚阈值斜率（S）;反亚阈值斜率（S）;反亚阈值斜率（S）;反亚阈值斜率（S）;反亚阈值斜率（S）;漏致势垒降低;漏致势垒降低;FinFET;FinFET;三栅以及双栅FinFET;三栅以及双栅FinFET;鳍型超薄体掺杂效应;鳍型超薄体掺杂效应;体反型效应—对导通电流Ion的影响;体反型效应—对导通电流Ion的影响;体反型效应—对导通电流Ion的影响;体反型效应—对导通电流Ion的影响;体反型效应—对导通电流Ion的影响;体反型效应—对导通电流Ion的影响;体反型效应—有效栅宽;体反型效应—有效栅宽;体反型效应—有效栅宽;实际中的结构选择;39;基于gm /ID的设计方法;41;模拟集成电路的层次化设计;43;44;45;46;47;48;49;50;51;52;53;54;55;56;57;58;59;60;61;62;63;64;65;66;67;68;69