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先进CMOS工艺的技术挑战及其对IC设计的影响 Cor Claeys, Senior Member, IEEE IMEC Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium 摘要： 根据国际半导体技术蓝图，在2016 年，栅长小于10nm 的器件将量产。为此，半导体工艺， 包括前道和后道工序都面临重大的挑战，其发展取决于技术创新点。以下技术，如光刻，隔 离，叠栅，浅结，器件工程，高K 和低K 介质，还有互联技术的应用，都是目前学术界和 工业界研究的热点