高电压CMOS放大器利用单个IC实现高阻抗检测.docxVIP

PAGE 1 PAGE 1 高电压CMOS放大器利用单个IC实现高阻抗检测 引言 电压的精确?????测量需要尽量减小至被测试电路之仪器接线的影响。典型的数字电压表（DVM）采纳10M电阻器网络以把负载效应保持在不惹眼的水平，即使这会引起显着的误差，尤其是在包含高电阻的较高电压电路中。  解决方案是采纳静电计配置的高阻抗放大器，因此来自测试节点的放大器输入电流就微乎其微。为使输入电流值尽可能低，传统上都把场效应晶体管（FET）用在这些电路的输入端。FET一般是低电压器件，并会引起难以消退的电压失调不确定性。虽然具有包括FET输入的单片式放大器，但它们通常是特别低电压的器件 （特殊是那些采纳典型CMOS制作方法的放大器），因此其适用范围局限在高电压应用。可以考虑一下LTC6090,这是一款精度在mV以内并能处理超过140VP-P信号摆幅的CMOS放大器，特别适合于解决上述问题。  LTC6090可轻松地解决高电压检测问题  LTC6090在单个器件中整合了一组独特的特性。其CMOS设计特性在高输入阻抗和“轨至轨”输出摆幅中供应了极限，但与采纳5V供电的典型CMOS器件不同，LTC6090能采纳高达±70V电源运作。而且，该器件在小信号领域中也可占有一席之地，其具有低于500μV的典型VOS和11nV/√Hz的电压噪声密度，从而可供应惊人的动