霍尔效应实验仪原理及其应用.pdfVIP

一、实验名称： 霍尔效应原理及其应用 二、实验目的： 1、了解霍尔效应产生原理； V I V I V I 2、测量霍尔元件的 、 曲线，了解霍尔电压 与霍尔元件工作电流 、直螺线管的励磁电流 H s H m H s Im间的关系； B 3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方式，测量长直螺旋管轴向磁感应强度 及散布； 4、学习用对称互换测量法（异号法）排除负效应产生的系统误差。 三、仪器用具：YX-04型霍尔效应实验仪（仪器资产编号 ） 四、实验原理： 一、霍尔效应现象及物理说明 f 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力 作用而引发的偏转。当带电粒子（电子或空 B 穴）被约束在固体材料中，这种偏转就致使在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加 的横向电场。关于图１所示。 I B 半导体样品，若在ｘ方向通以电流 ，在ｚ方向加磁场 ，则在ｙ方向即样品Ａ、Ａ′电极双侧就开始聚s E 积异号电荷而产生相应的电场 H ，电场的指向取决于样品的导电类型。显然，当载流子所受的横向电场力 f f f f E B 时电荷不断聚积，电场不断增强，直到 E B样品双侧电荷的积存就达到平稳，即样品Ａ、Ａ′间形 V 成了稳固的电势差（霍尔电压） 。 H E v b d 设 为霍尔电场， 是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为 ，厚度为 ，载流子浓度为 H n ，则有： I  nevbd s （1－1） f eE f evB f f 因为 E H ， B ，又依照 E B ，则 1 I B I B V E b  Rs s H H ne d H d （1－2） R 1/(ne) V B I d 其中 称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出 、 和明白 和 ， H H s 3 R (m /c) 可按下式计算 H ： V d R  H