MEMS陀螺仪在恶劣高温环境下提供准确的惯性检测.docxVIP

【Word版本下载可任意编辑】 PAGE 1 - / NUMPAGES 1 MEMS陀螺仪在恶劣高温环境下提供准确的惯性检测 越来越多的应用需要从处于高温环境中的传感器收集数据。近年来，半导体、无源器件和互连领域取得了很大进展，使得高 数据采集和处理成为可能。但是，人们需要能够在175°C高温条件下运行的传感器，尤其是采用微机电系统(MEMS)提供的易于使用的传感器，这一需求尚未得到满足。相比同等的分立式传感器，MEMS通常更小巧，功耗和成本都更低。此外，它们还可以在同样大小的半导体封装内集成信号调理电路。  目前已发布高温MEMS加速度计ADXL206，它可以提供高 倾斜（倾角）测量。但是，还需要更加灵活和自由，以准确测量系统在严苛环境应用下的移动，在这些环境下， 终产品可能遭受冲击、振动和剧烈移动。这种类型的滥用会导致系统过度磨损和提前出现故障，由此产生高额的维护或停机成本。  为了满足这一需求，ADI公司新开发了一款集成信号调理功能的高温MEMS陀螺仪，即ADXRS645。此传感器即使在冲击和振动环境下也能实现准确的角速率（转速）测量，且额定工作温度高达175°C。  工作原理  MEMS陀螺仪利用科氏加速度来测量角速率。关于科氏效应的解释，从图1开始。设想自己站在一个旋转平台上，站在靠近中心的位置。您相对于地面的速度以蓝色箭头的长度来显示。如果您移动到靠近平台外缘的位置，您相对于地面的速度会加快，具体由更长的蓝色箭头表示。由径向速度引起的切向速度的增长率，就是科氏加速度。  如果Ω表示角速率，r表示半径，切向速度即为Ωr。所以，如果在速度为v时，r改变，则会产生切向加速度Ωv。其值是科氏加速度的一半。另一半来自径向速度方向的改变，总共为2Ωv。如果您施加质量体(M)，那么平台必须施加力—2MΩv—来产生这种加速度，那么质量体也会经受对应的反作用力。ADXRS645通过使用与人在旋转平台上向中心和向外缘移动时对应的谐振质量体来利用这种效应。质量体是采用多晶硅，通过微机械加工而成，并粘接在多晶硅框架上，所以它只能沿一个方向谐振。  图1 科氏加速度例如。人员向北移动到旋转平台的外缘时，必须增大向西的速度分量（蓝色箭头），以保持向北移动的路线。所需的加速度就是科氏加速度   图2 科氏效应演示：响应悬挂在框架内的硅质量体的谐振。绿色箭头表示构造受到的力（基于谐振质量体的状态）  图2显示，当谐振质量体向旋转平台的外缘移动时，它向右加速，并向左对框架施加一个反作用力。当它向旋转中心移动时，它向右施加一个力，如绿色箭头所示。  为了测量科氏加速度，我们使用与谐振运动方向呈90°的弹簧，将包含谐振质量体的框架连接到衬底上，具体如图3所示。此图还显示了科氏检测指针，它通过电容转导，在受到施加给质量体的力影响时检测框架的位移。  显示完整的构造，从中可以看出，当谐振质量体移动，陀螺仪所在的安装平面旋转时，质量体和其框架会受到科氏加速度影响，并因为振动旋转90°。随着转速加快，质量体的位置和从对应的电容获取的信号发生改变。需要注意的是，陀螺仪可以按任意角度放置在旋转物体的任意位置，只要它的检测轴与旋转轴平行即可。  电容检测  ADXRS645通过附加在谐振器上的电容传感元件来测量谐振质量体和框架因科氏效应产生的位移，具体如图4所示。这些元件都是硅棒，与衬底上连接的两组固定硅棒交错，形成两个名义上相等的电容。角速率引起的位移会在系统中产生差分电容。  在实际应用中，科氏加速度是一个极小的信号，会导致几分之一埃的射束偏转，以及仄法级别的电容变化（译者注：1仄法=1e-21法拉）。因此， 限度降低对寄生源（例如温度、封装应力、外部加速度和电噪声）的相互干扰是极为重要的。这种作用一部分是通过将电子器件（包括放大器和滤波器）和机械传感器放置在同一裸片上来实现的。但是，更重要的是在信号链中距离尽可能远的位置实施差分测量，并将信号与谐振器速度关联起来，尤其是在处理外部加速度产生的影响时。  振动抑制  理想情况下，陀螺仪只对转速敏感，对其他东西都不敏感。在实际应用中，由于陀螺仪的机械设计不对称，且/或微加工 不够，所有陀螺仪都对加速度有一定的敏感性。事实上，加速度灵敏度有多种表现形式——其严重程度因设计而异。 为严重的通常要属对线性加速度的灵敏度（或g灵敏度）和振动整流的灵敏度（或g2灵敏度），严重到足以完全抵消该器件的额定偏置稳定性。当速率输入量超过额定测量范围时，有些陀螺仪轨与轨之间的输出会存在差异。其他陀螺仪在受到低至几百g的冲击时，会倾向于锁死。这些陀螺