学习情境二 电池组件的工作原理及应用课件.ppt

学习情境二 电池组件的工作原理及应用; 太阳能发电技术;;内蒙古辉腾锡勒风电场;◆太阳能电池分类;;;;2、按照用途分类;地面太阳能电池;3、按照工作方式分类;;;;;;;;;;;;;;;;;光伏电池的光电转化效率η =Pmax/Pin= Um Im / At Pin Pmax:电池的最大输出功率，W/㎡ Pin:太阳辐射功率，W/㎡ Vm和Im分别为最大输出功率点的电压和电流 At为太阳电池的总面积 Pin为单位面积太阳入射光的功率 在大气质量为AM1.5条件下： 硅太阳能电池理论转换效率上限33% 普通单晶硅：12%～15% 高效单晶硅：18%～20% ;电池种类; 中国太阳电池实验室最高效率; 太阳能电池的最大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用FF(或CF)表示： FF = ImUm/ IscUoc IscUoc是太阳电池的极限输出功率 ImUm是太阳电池的最大输出功率 填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。它的值越高表明太阳能电池输出特性越趋近于矩形，电池的光电转换效率就越高。目前可达到80%.; 在规定的试验条件下，被测太阳能电池温度每变化10C 太阳能电池短路电流的变化值，通常用α表示。 对于一般晶体硅电池 α= + 0.1%/0C ; 研究和实验表明，太阳能电池工作温度的升高会引起短路电流的少量增加，开路电压 Voc 下降，填充因子 FF下降，输出功率 Pm下降，转换效率 η下降.总的来说，温度升高太阳能电池的功率下降，对于晶体硅温度系数为-0.35%/℃；对于非晶硅温度系数为-0.21%/℃。;;;;;;; 多晶硅电池和单晶硅电池的区别 1、多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的本质区别在于多晶硅内存在着晶界。大量研究表明，多晶硅中晶粒的尺寸和形态、晶界的性质以及不同晶粒内杂质的含量和分布方式是影响多晶硅太阳电池性能的主要因素。 2、多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著。 3、但从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为： 1）可供应太阳能电池的头尾料愈来愈少； 2） 对太阳能电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶???可直接获得方形材料； 3）多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级； 4）由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，电池转换效率有了很大提高。 5）单晶硅工艺繁琐，成本高，光电转换效率最高、技术成熟，电池的稳定性很高；多晶硅工艺较单晶硅简单，成本较高，光电转换效率较高，电池的稳定性较高。 ;1）高纯多晶硅的制备 工业化生产主要使用三氯氢硅法（改良西门子法）。;2）单晶硅锭的制备 直拉法（切克劳斯基法） 一般工艺流程：多晶硅装料—融化—种晶—引晶—缩颈—放肩—等径—收尾—完成。（直拉单晶炉示意图P48 图3-22） 悬浮区熔法（区熔法） 此种方法可以提高单晶硅纯度，减少含氧量及晶体缺陷，但成本很高，因此目前仅用于生产高效电池的单晶硅材料。; 3）多晶硅锭的制备 两种方法：定向凝固法、浇铸法 多晶硅锭的加工成本较拉制单晶硅降低数倍。;;;;; 2）硅片的检测 在硅片清洗制绒之前要进行硅片的检测。 硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。主要对硅片的一些技术参数进行在线测量，包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。; 3）硅片的表面处理 ;;; 超小绒面 硅片制绒 制绒清洗机;; 6）去除背结; 7）去磷硅玻璃通过化学腐蚀法 ，去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃 。;太阳能去磷硅玻璃清洗机; 8）等离子刻蚀 由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。 ;;;;;;;;;;;;;补充;建材屋顶一体型组件：太阳瓦;瓦型太阳能电池组件，它是由曲面形状玻璃与非晶硅太阳能电池构成。由于非晶硅太阳能电池的厚度非常薄，因此与以前的瓦相比重量基本相同，但瓦的强度却高三倍。由于非晶硅太阳能电池采用气体反应的方法形成，所