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PAGE 1 PAGE 1 利用MOSFET降低传导和开关损耗 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。  监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高，也要求更低的导通阻抗，同时不能影响非钳位电感性开关（UIS）力量或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30～200V范围的DC/DC电源设计人员供应相关解决方案。现在，通过提高开关性能，导通阻抗Rds（on）已能降低50%及以上，从而提高效率，为更高频率工作制造条件。本文争论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET（40～300V）应用中的优势。  电源设计挑战  DC/DC设计人员始终面临着提高效率和功率密度的挑战。而功率MOSFET技术的不断进步关心他们得以实现这一目标。导通阻抗Rds（on）和栅极电荷Qg中，一般总是一个减小则另一个增大，故功率MOSFET设计人员必需考虑到二者之间的权衡。一种新的沟槽MOSFET工艺可以做到减小Rds（on），却不影响Qg。这种技术就是屏蔽栅极技术。它能够减小中压MOSFET中导通阻抗的关键重量——与漏源击