利用光子晶体提高InP基LED出光效率.docxVIP

PAGE 1 PAGE 1 利用光子晶体提高InP基LED出光效率 1 引言 在如今的各行各业，LED都得到了广泛的应用，无论是显示、照明，还是通信等领域。但在通常的发光器件中由于内全反射产生的传输模而导致出光效率受到很大的限制，近年来提出了许多改善LED出光效率的方法，如表面粗糙化、谐振腔法等，采纳这些方法都观看到了不同程度的出光效率的提高。  由于光子晶体中存在类似于半导体中的电子禁带的光子禁带，因此有望成为新一代的光半导体，成为人们的讨论热点话题。由于光子晶体中光子禁带的存在，使得某些特定频率的光子不能通过，这种特性可以用来实现多种具有优异特性的光电子器件，如光子晶体激光器、光子晶体大角度弯曲波导等。  本文主要讨论利用光子晶体的带隙结构提高LED的出光效率。利用时域有限差分法从理论上分析了晶格常数的转变对禁带位置变化的影响以及相应的对LED出光效率的影响，利用半导体工艺的方法制备出了光子晶体结构，从试验上验证了光子晶体提高LED出光效率的效果。  2　理论分析和试验制作  2.1　能带结构分析  FDTD方法主要用来计算时域上电磁波在光子晶体内部的传播和散射，通过分析同一时刻不同位置的电磁场分布状况，以及不同时刻同一位置的电磁场分布状况，实现了分析光子晶体内部电磁场传播过程的目的。利用FDTD方法不仅能够分析光子晶