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学习—…好资料 学习—…好资料 更篦耕品文档 更篦耕品文档 更篦耕品文档 更篦耕品文档 习题10 10.1判断下列说法是否正确，用“厂和“X”表示判断结果填入空内。 TOC \o 1-5 \h \z 场效应管的漏极电流受栅源电压形成的电场控制，因此称为场效应管。( ) 栅极悬空时增强型场效应管存在导电沟道，漏极电流较大。 () 栅源电压为0时存在导电沟道的场效应管是耗尽型场效应管。 () N沟道增强型场效应管的开启电压小于0。 ( ) 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 Rgs大的特点。() 若耗尽型N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。() 答：(1) J (2) X (3) J (4) X (5) J (6) X 10.2选择正确的答案填入空内。 )的漂移运动形成的。C ?两种载流子场效应管的漏极电流是由( A ?少子 )的漂移运动形成的。 C ?两种载流子 场效应管是一种(A ?电流 场效应管是一种( A ?电流 E ?光 )控制型的电子器件。 C ?电压 )来控制漏极电流的人小的。 C.电压 )来控制漏极电流的人小的。 C.电压 )。 C ?放人能力较弱 题图10.2 场效应管是利用外加电压产生的( A.电流 E.电场 与双极型晶体管比较，场效应管( A ?输入电阻小 E.制作工艺复杂 当场效应管的漏极直流电流/d从2niA变为3inA时，它的低频跨导将()。 A ?增大 E.减小 C.不变 某场效应管的转移特性如由题图10.2所示，则该管是()场效应管。 A.增强型NMOS B耗尽型NMOS C.耗尽型PMOS 当耗尽型场效应管工作于放人区时，场效应管/d的数学表达式为()。 ， ■ v A? iD = 1DSS^ GS B? iD =，DSS(“GS _ VDS) C?i° =) VGS(off) 当栅源电压Vgs=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有( )。 A.结型管 E.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管 答：(1) B (2) C (3) B (4) C (5) A (6) B (7) C (8)AC 10.3已知场效应管的输岀特性曲线如题图10.3所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。 学习好资料 解：在输出特性上作VDS=1OV的垂线，查出它与输出特性曲线的交点（可作岀转 移特性曲线如题图10?3?1所示。 10.4在题图10.4所示电路中，已知场效应管的VP=-5V,问在下列三种情况下，管子分别 工作在哪个状态？ （1）vos=-8V, vds=4V （2） vos=-3V, vDs=4V （3） vos=-3V, vDS=lV 解：N沟道耗尽型（UpV））场效应管工作状态的判断： 截止区:VosVp怛流区：畑Up$GS -VDS Vp 口 J变电阻区：畑沁如?-VDS Vp P沟道耗尽型（W0）场效应管工作状态的判断： 截止区：恒流区：igsVUp$GS Tbs Vp 口J变电阻区：-DS Vp 本题中为N沟道耗尽型（Vp0）场效应管。所以 （1）截止 （2）恒流区 （3）可变电阻区 10.5分别判断题图10.5所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。 题图10.5解：（a） 题图10.5 解：（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能 10.6测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及其开启电压如题表10.6所示。试分 析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。 题表10.6 管号 Vt/V [Vs/V wv |vd/v 工作状态 Ti 4 |一4 T： -4 k 3 12 t3 -4 0 6 解：N沟道增强型（*0）场效应管工作状态的判断： 截止区：I’T 怛流区：~vDS V Vt 口J 变电阻区:Vqs I’T』GS T Vy P沟道增强型（*o）场效应管工作状态的判断： 截止区:vgs^^Vt 怛流区:vgsVt,vgs —vds Vt 口J变电阻区:vgsVt3;os —vds Vt Ti： NMOS,恒流区;Tz： PMOS,截止区;T3： PMOS,可变电阻区。 10.7已知某结型场效应管的/Dss=2mA, VP=-4V,试画出它的转移特性曲线和输出特性 曲线，并近似画出预夹断轨迹。 解：N沟道结型（耗尽型）场效应管的转移特性曲线方程为： (Vp0 Vp^vos^O, v^s^vos-Vp) 预夹断轨迹方程： +4 特性曲线如题图10.7.1所示。 学习—…好资料 学习—…好资料 更篦精品文档 更篦精品文档 学习—…好资料 学习—…好资料 更篦精品文档 更篦精品文档 /q/hiA饱和区-4Vgs-vds可变电阻区-4vos /q/hiA 饱和区-4Vgs-vds 可变电阻区-4vos-Vds