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实用标准方案 模拟电子技术复习资料总结 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。 特性---光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体---纯- 净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子 ---带- 有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体---在- 本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN结 PN 结的接触电位差---硅材料约为 0.6~0.8V，锗材料约为 0.2~0.3V。 PN 结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性 正-向导通，反向截止。 *二极管伏安特性---同- ＰＮ结。 *正向导通压降-----硅-管 0.6~0.7V，锗管 0.2~0.3V。 *死区电压-----硅-管 0.5V，锗管 0.1V。 3.分析方法 将-二