n磁通运动与钉扎.pptxVIP

超导电力基础;4.4 交流损耗;G-L特征长度ξGL大小影响超导体电磁特征;磁场下临界电流衰减 ;;;电阻特征试验结果; 为何电阻生成过程中有迟缓上升段？ 为何第II类超导体临界电流与磁场关系不满足简单电磁理论分析结果？; 磁通流阻 磁通钉扎 不可逆磁化;第I类：中间态;;;混合态存在常导区域;磁通流切割导体，在导体内将感应电动势;电阻特征试验结果;4.2 磁通流 1） 磁通流阻 ;处理路径;假如超导体内部存在缺点、杂质，使得该点超导电性变弱，那么，磁通更轻易经过该点，而且磁通为离开该点，需要克服一定势垒，这形成对磁通运动阻力。 ——钉扎效应;含有钉扎效应微观缺点称为钉扎中心。 磁通离开钉扎中心需要克服势垒，即需要克服钉扎力;电流和磁通量子之间洛伦兹力：;问 题;只有当 时磁通才会运动 ;钉扎力越大临界电流越大。;;因为钉扎力存在，使得超导体含有了束缚磁通能力用超导体制作永久磁体，既能够实现磁悬浮，也能够实现磁悬垂;钉扎效应使得磁通侵入或退出超导体均碰到阻力 从而使磁化成为不可逆，出现剩磁、磁滞等现象;;钉扎力不均匀，会造成磁化特征复杂化 ;温度越高 钉扎力越小 ;临界温度以下存在磁化不可逆温度 ;不可逆温度和磁场强度相关 ;;t ;4.2 磁通流 3） 不可逆磁化 ;4.3 磁通运动;磁通量子在电磁力作用下整体移动 连续行为 没有钉扎力、或电磁力大于钉扎力时发生现象;磁通流产生磁通流电阻，在应用中会带来损耗。 需要抑制！ 抑制方法是：增强钉扎;因为钉扎力作用，超导体能够捕捉磁通而成为永久磁体。伴随时间推移，捕捉磁通逐步降低 原因：超导体内部热运动造成磁通线越过了钉扎中心势能 分散、随机行为;;磁通运动形态之三： 磁通跳跃 ;V;磁场从超导体边缘部分侵入，侵入形态为指数分布，侵入深度由伦敦方程确定;;磁通侵入必须克服钉扎力。磁通侵入伴伴随屏蔽电流。克服钉扎力意味着到达临界电流。该电流与侵入磁场洛伦兹力大于钉扎力。;克服钉扎力洛仑兹力;x;(a) 温度改变造成磁通跳跃;x;(a) 温度改变造成磁通跳跃;产生磁通跳跃磁场临界值为;考虑有限超导体处于磁场中情况，磁场将从超导体??面侵入。所以，超导体几何尺寸小于上式两倍时不会发生磁通跳跃。;(b) 磁场改变造成磁通跳跃;(b) 磁场改变造成磁通跳跃;;可取得因磁场增加而产生温度改变为：;超导体细丝化是抑制磁通跳跃有力伎俩 所以，超导导线均采取 细丝 直径 在mm级 —— 直流;;现象：在小于临界电流时也有小电阻 原因：磁通运动产生磁通流阻 处理办法：增加磁通钉扎力 ;4.3 磁通运动 小结;思索：;下一堂课