模拟电路试题(试卷六(难).docxVIP

模拟试卷六 一、填空(20 分) 在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V；锗二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V。 ^^ 场效应管属于 控制型器件，而晶体三极管则是 控制型器件。 ^^ 某场效应管的转移特性曲线如图所示，由此可知该管是 (N 或P)沟道 (增强或耗尽)型的 (结型或绝缘栅)场效应管，图中UGS = －2 V 称为该管的 电压。 ^^ 已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为： 表明其下限频率为 ，上限频率为 ，中频的电压增益为 dB，输出电压与输入电压在中频段的相位差为 。 ^^ 在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压 UI1 = UI2，则输出电压 Uo = 。若 UI1 = +1500 mV，UI2 = +500 mV，则可知差动放大电路的输入差模电压 UId = ，差模输入信号分别为 UId1 = ，UId2 = ，共模输入信号 UIc = 。 ^^ 设计一个输出功率为 20 W 的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为 W 的功率管两个。 ^^ 二、两级放大电路如图所示，已知三极管 β 1 =β 2 =50，rbe1 = 1.6 k Ω ，rbe2 = 1.3 kΩ ，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。 (共 14 分) 试说明V1