硅稳压二极管稳压电路演示文稿.pptVIP

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  • 2022-07-11 发布于广东
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硅稳压二极管稳压电路演示文稿 第一页,共三十五页。 优选硅稳压二极管稳压电路 第二页,共三十五页。 16.2 硅稳压二极管稳压电路 16.2.1 硅稳压二极管稳压电路的原理 16.2.2 稳压电阻的计算 16.2.3 基准源 第三页,共三十五页。 16.2.1 硅稳压二极管稳压电路的原理 硅稳压二极管稳压电路的电路图如图16.02所示。 它是利用稳压二极管的反向击穿特性稳压的,由于反向特性陡直,较大的电流变化,只会引起较小的电压变化。 图16.02 硅稳压二极管稳压电路 第四页,共三十五页。 (1) 当输入电压变化时如何稳压 根据电路图可知 输入电压VI的增加,必然引起VO的增加,即VZ增加,从而使IZ增加,IR增加,使VR增加,从而使输出电压VO减小。这一稳压过程可概括如下: 这里VO减小应理解为由于输入电压VI的增加,在稳压二极管的调节下,使VO的增加没有那么大而已。VO还是要增加一点的,这是一个有差调节系统。 VI↑→VO↑→VZ↑→IZ↑→IR↑→VR↑→VO↓ 图16.02 硅稳压二极管稳压电路 第五页,共三十五页。 (2) 当负载电流变化时如何稳压 负载电流IL的增加,必然引起IR的增加,即VR增加,从而使VZ=VO减小,IZ减小。IZ的减小必然使IR减小,VR减小,从而使输出电压VO增加。这一稳压过程可概

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