教学课件半导体光电子器件-2.pptVIP

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2022-07-11 发布于辽宁
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教学课件半导体光电子器件-2.ppt

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正版课件内容可修改;半导体光电子器件;第二章：半导体光电子器件物理基础;§2.1 pn结的物理基础;§2.1 pn结的物理基础;§2.1 pn结的物理基础;§2.1 pn结的物理基础;§2.2 非平衡pn结;§2.2 非平衡pn结;§2.2 非平衡pn结;第二章半导体光电子器件物理基础;§2.3 非平衡pn结的能带结构与载流子分布;§2.3 非平衡pn结的能带结构与载流子分布;§2.4 pn结的直流电学特性; 小注入条件下，x=xn处，空穴的扩散流密度;若;温度对电流密度的影响很大;Si -pn结理论曲线与和实验曲线的示意图; 2. 正偏小电流：空间电荷区内载流子浓度高于平衡值；载流子的复合高于产生，有净的复合流；正向电流应为正向扩散流与空间电荷区净复合流之和。 Si和GaAs，在电小流时，复合电流起支配作用，影响不可忽略；随电流密度增大，复合电流的影响减小，理论与实验逐渐相符。 Ge pn结，正向扩散流密度远高于复合流，在正向电流密度不是很大时，理论曲线与实验数量符合较好。;;对于突变结;n区少子数量;三、等效电路 ; pn结反向电流很小，但是当反向电压增大到某一值时，电流急剧上升，这种现象称为pn结的击穿。相应电压称为pn结击穿电压。;对Ge、Si、GaAs pn结当击穿电压小于 4Eg/q时，击穿机构通常是隧道击穿;对Ge、Si、GaAs pn结当击穿电压大于 6Eg/q时，击穿机构通常是雪崩击穿，击穿电压在4--6Eg/q之间时，雪崩击穿与隧穿击穿同时存在。;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理基础;第二章半导体光电子器件物理???础;势垒;2. 超晶格量子阱（或不同导电类型材料）组成的一维周期性结构，其势垒宽度小于电子的德布罗意波长。;第二章半导体光电子器件物理基础; 量子线：二个方向物理尺寸小于德布罗意波长;;2. 2DHG