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泓域咨询/光伏电池片产业园项目策划书
报告说明
本征富氢非晶硅膜是HJT异质结电池的核心工艺。异质结电池中,单晶硅层和掺杂非单晶硅层中间处会嵌入一层钝化材料,高质量的钝化层会对异质界面缺陷钝化、减少载流子复合、增大开路电压。在各钝化材料中,本征富氢非晶硅薄膜为当前的最佳选择,由于H原子的存在,界面处形成的Si-H键能使界面态悬挂键得到有效的饱和,界面态密度降低,少子寿命提高,增大开路电压。同时,异质结界面两端具有较大的界面势垒,富氢非晶硅膜能提供缓冲作用,调节能带偏移,降低隙态密度,减少漏电流,提高电池的输出性能。
根据谨慎财务估算,项目总投资17077.93万元,其中:建设投资13195.
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