第8章 工业结晶过程与设备.ppt

编辑ppt 二次成核 在已有晶体存在的条件下产生晶核的过程为二次成核。 机理： 剪应力成核 接触成核 影响因素： 温度 过饱和度 碰撞能量 晶体的粒度与硬度 搅拌桨的材质 半经验公式： 2.结晶生长动力学 2.1机理 在过饱和溶液中已有晶体形成或加入晶种后，以过饱和度为推动力，溶质质点会继续一层层地在晶体表面有序排列，晶体将长大，这个过程称为晶体生长。 晶体的扩散学说 溶质通过扩散作用穿过靠近晶体表面的一个滞流层，从溶液中转移到晶体的表面； 到达晶体表面的溶质长入晶面，使晶体增大，同时放出结晶热； 结晶热传递回到溶液中。 根据以上扩散学说，溶质依靠分子扩散作用，穿过晶体表面的滞留层，到达晶体表面；此时扩散的推动力是液相主体的浓度与晶体表面浓度差； 而第二步溶质长入晶面，则是表面化学反应过程，此时反应的推动力是晶体表面浓度与饱和浓度的差值。 2.2结晶生长速率 溶质扩散控制： 表面反应控制： 共同控制： 质量生长速率R与线生长速率G： 经验表达式： 3.结晶物理环境对晶体生长过程的影响 主要因素：晶体内部单元对晶面的各种应力； 晶面与周围环境的各种作用。 杂质：改变晶体和溶液之间界面的滞留层特性，影响溶质长入晶体、改变晶体外形、因杂质吸附导致的晶体生长缓慢； 搅拌：加速晶体生长、加速晶核的生成； 温度：促进表面化学反应速度的提高，增加结晶速度； 提