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ISD4003系列高保真语音录放IC ?无需开发系统? 3V单电源工作?工作电流25-30mA,维持电流1 口 A?高质量、自然的语音还原技术?自动静噪功能 ?无需开发系统 ? 3V单电源工作 ?工作电流25-30mA,维持电流1 口 A ?高质量、自然的语音还原技术 ?自动静噪功能 内置微控制器串行通信接口 多段信息处理 不耗电信息保存100年（典型值） 100, 000次录音周期（典型值） 片内免调整时钟,可选用外部时钟4003系列型号与性能对照表 型号 时间 输入采样 典型带宽 最大段数 最小段长 外部钟频 ISD4003-04M 4分钟 8.0kHz 3.4kHz 1200 200ms 1024.0kHz ISD4003-05M 5分钟 6.4kHz 2.7kHz 1200 250ms 819.2kHz ISD4003-06M 6分钟 5.3kHz 2.3kHz 1200 300ms 682.7kHz ISD4003-08M 8分钟 4.0kHz 1.7kHz 1200 400ms 512.0kHz ISD4003系列工作电压3V,单片录放时间4至8分钟,音质好，适用于移动 及其他便携式电子产品中。 芯片采用CMOS技术,内含振荡器、防混淆滤波器、平滑滤波器、音频放大器、自动静噪及高密度多电平闪烁 存贮陈列。芯片设计是基于所有操作必须由微控制器控制，操作命令可通过串行通信接口（SPI或Microwire）送 入。芯片采用多电平直接模拟量存储技术，每个采样值直接存贮在片内闪烁存贮器中，因此能够非常真实、自 然地再现语音、音乐、音调和效果声，防止了一般固体录音电路因量化和压缩造成的量化噪声和“金属声”。采 样频率可为4.0,5.3,6.4,8.0kHz,频率越低,录放时间越长，而音质有所下降,片内信息存于闪烁存贮器中，可在断电 情况下保存100年（典型值），反复录音10万次。 二、引脚描述 电源:（VCCA,VCCD）为使噪声最小，芯片的模拟和数字电路使用不同的电源总线，并且分别引到外封装的 不同管脚上，模拟和数字电源端最好分别走线，尽可能在靠近供电端处相连，而去耦电容应尽量造近器件。 地线：（VSSA, VSSD）芯片内部的模拟和数字电路也使用不同的地线。几个VSSA尽量在引脚焊盘上相连，并 用低阻通路连至电源上,VSSI）也用低阻通路连至电源上。这些接地通路要足以使VSSA与VSSD之间的阻值小于 3 Q 。芯片的反面是通过衬底电阻连接到VSS的,在做COB时托盘须接VSS或悬空。 lullI3L4UU3器2TES次 aszlaBEnKEZZ-PII TSOPiiDoorr1±QP==============PDIP/SOIC1111 口9ZLKVccdIC IEStBICXX lull I3L4UU3 器2TES次 aszlaBEnKE ZZ-PII TSOP iiDoorr 1±QP ============== PDIP/SOIC 1111 口 9ZLK Vccd IC IE St BIC X X X DZ Vcca. UT1 UT+ 皿IU- DZ 同相模拟输入(ANA IN+)这是录音信号的同相输入端。输入放大器可用单端或差分驱动。单端驱动时，信 号由耦合电容输入,最大幅度为峰峰值32mV,耦合电容和本端的3KQ电阻输入阻抗决定了芯片频带的低端截 止频率。差分驱动时，信号最大幅度为峰峰值16mV。这两种驱动方式见图2T4 (为ISD33000系列相同)。 反相模拟输入(ANA IN-)差分驱动时，这是录音信号的反相输入端。信号通过耦合电容输入，最大幅度为 峰峰值16mV,本端的标称输入阻抗为56KQ。单端驱动时,本端通过电容接地。两种方式下,ANA 1N+和ANA 1N- 端的耦合电容值应相同。 音频输出(AUD OUT)提供音频输出，可驱动5KQ的负载。 片选(SS)此端为低,即选中TSD4003系列。 串行输入(MOSI)此端为串行输入端,主控制器应在串行时钟上升沿之前半个周期将数据放到本端，供ISD 输入。 串行输出(MISO) ISD的串行输出端。ISD未选中时，本端呈高阻态。 串行时钟(SCLK) TSD的时钟输入端，由主控制器产生,用于同步MOSI和MTSO的数据传输。数据在SCLK 上升沿锁存到ISD,在下降沿移出ISDo 中断(/INT)本端为漏极开路输出。ISD在任何操作(包括快进)中检测到EOM或OVF时,本端变低并保持。 中断状态在下一个SPI周期开始时清除。中断状态也可用RINT指令读取。 OVF标志一一指示ISD的录、放操作已到达存储器的未尾。 EOM标志——只在放音中检测到内部的EOM标志时,此状态位才置lo 行地址时钟(RAC)漏极开路输出。每个RAC周期表示ISD存储器的