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会计学 1 光电检测器件及应用二 2 槽式光电传感器器示意图 槽式光电传感器实物图 3.2.4 光电耦合器件 光电耦合器的电路符号 第1页/共23页 3 绝缘玻璃 发光二极管 透明绝缘体 光敏三极管 塑料 发光二极管 光敏三极管 透明树脂 光电耦合器件的结构 采用金属外壳和玻璃绝缘的结构，在其中部对接，采用环焊以保证发光二极管和光敏二极管对准，以此来提高灵敏度。 (a)金属密封型 (b)塑料密封型 采用双列直插式用塑料封装的结构。管心先装于管脚上，中间再用透明树脂固定，具有集光作用，故此种结构灵敏度较高。 金属密封型 塑料密封型 第2页/共23页 4 光电耦合器的组合形式 该形式结构简单、成本低，通常用于50kHz以下工作频率的装置内。 该形式采用高速开关管构成的高速光电耦合器,适用于较高频率的装置中。 该组合形式采用了放大三极管构成的高传输效率的光电耦合器，适用于直接驱动和较低频率的装置中。 该形式采用功能器件构成的高速、高传输效率的光电耦合器。 第3页/共23页 5 光电耦合器的特点 具有电隔离（１０１０－１０１２欧姆）功能； 信号传输单向（脉冲或直流），适用于模拟／数字信号； 具有抗干扰和噪声能力； 响应速度快（微／纳秒，直流－１０兆赫兹）； 使用方便，可靠性高，体积小，寿命长； 既有耦合特性，又有隔离功能； 第4页/共23页 6 光电耦合器的特性参数 直流电流传输比 主要特性：传输特性和隔离特性 交流电流传输比 是指直流工作状态下，耦合器件中光电器件的输出电流与发光原件输入电流之比。 工作点的选择不同，电流传输比不同。 第5页/共23页 7 光电耦合器的特性参数 最高工作频率 取决于发光器件和光电器件的频率特性。 光电耦合器件的频率特性测试电路： 输入等幅度的可调频信号，当测得输出信号电压的相对幅值降至0.707时，所对应的频率。 第6页/共23页 8 光电耦合器的抗干扰特性 输入阻抗很低； 干扰源的内阻很大，形成的电流很微弱； 器件密封包装，不受外界光的干扰； 器件寄生电容很小，绝缘电阻很大，很难通过器件的反馈引入干扰。 光电耦合器件能抑制尖脉冲及各种噪声等干扰，实现信息传输的高信噪比。 原因如下： 第7页/共23页 9 光电耦合器件的应用 代替脉冲变压器，可以耦合从零到几兆赫兹的信号，失真小； 代替继电器，做光电开关用； 把不同电位的两组电路互连，完成电平匹配和电平转移； 电流驱动器件与光驱动器件相结合，实现高信噪比； 作为计算机主机运输部与输入／输出端的接口，提高计算机的可靠性； 在稳压电源中作为过流保护器件，简单可靠。 第8页/共23页 10 3.2.5 光电位置敏感器件（PSD） 工作原理： 当入射光点落在器件感光面的不同位置时，PSD将对应输出不同的电信号。 入射光点的强度和尺寸大小对PSD的位置输出信号均无关。 用途： ＰＳＤ是一种可直接对其光敏面上的光斑位置进行检测的光电器件，可构成非接触高精度动态测量系统。 第9页/共23页 11 光入射位置XA： P型层电流I1、I2： N型层电流I0： 3.2.5 光电位置敏感器件（PSD） 第10页/共23页 12 第11页/共23页 13 PSD分为一维PSD和二维PSD。 一维PSD可以测定光点的一维位置坐标； 二维PSD可测光点的平面位置坐标。 3.2.5 光电位置敏感器件（PSD） 第12页/共23页 14 v CCD图像传感器： 用CCD的光电转换和电荷转移功能制成的。 CCD（charge-coupled devices)电荷耦合器件。 v MOS图像传感器： 用光敏二极管与MOS晶体管构成的将光信号变成电荷或电流信号的，又称自扫描光电二极管列阵（SSPA）。 固态图像传感器 CCD图像传感器 MOS图像传感器 固态图像传感器 第13页/共23页 15 固态图像传感器 特点： v 高度集成，包括光电信号转换、信号存储和传输、处理。 v 以电荷转移为核心。 v 体积小、重量轻、功耗小、成本低。 v 广泛用于图像识别和传送。 分类： v 电荷耦合器件(CCD) v MOS型图像传感器(自扫描光电二极管阵列) v 电荷注入器件 第14页/共23页 16 将光信号变为电荷包，以电荷包的形式存贮和传递信息。 又称为“排列起来的MOS电容阵列” 。 一、MOS光敏元的结构及原理 半导体与SiO2界面电荷分布图 工艺： 先在P-Si片上氧化一层SiO2介质层，其上再沉积一层金属Al作为栅极，在P-Si半导体上制作下电极。 电荷耦合器件（CCD） 固态图像传感器 第15页/共23页 17 给栅极加VG正脉冲