LED倒装芯片的制备【毕业答辩】.pptVIP

. . . . . * LED倒装芯片的制备 * . 目 录 研究背景 研究内容 结论 致谢 * . 研究背景 随着工业化程度的提高，世界能源消耗迅速增加，能源紧张问题日益突出。发光二极管(LED) 是一种新型固态照明光源，具有体积小、安全性高、稳定性好、高光效、绿色环保等优点，有可能取代传统的白炽灯、荧光灯而成为第四代照明光源。目前，国内大部分都在使用荧光灯等传统光源，若用LED取代后可以减少22%的照明用电。 * . 目前市场上的白光LED大部分采用正装蓝光LED和黄光荧光粉组合，而正装蓝光GaN LED芯片存在以下问题： 1.蓝宝石的热导率比较低，影响器件的散热性能 2.光出射时存在 p 电极的阻挡，降低了光提取效率 3.驱动电流小 正装LED的结构与灯 * . 针对上述正装LED芯片遇到的瓶颈问题，本文提出采用倒装LED芯片结构以改善其光电性能，主要内容如下： （1）介绍LED的各种参数、LED芯片的基本制备工艺流程以及相关设备的工作原理； （2）制备倒装LED芯片，与正装芯片作对比，并对其发展前景进行了展望。 研究内容 * . LED的基本理论 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs、GaＮ、GaAsP等半导体制成的PN结光电子器件。发光是因为电子跃迁复合产生光子，在LED的结构中，载流子会被限制在有源层内，这大大提高了少数载流子浓度，从而电子与空穴进行辐射复合的可能性更大，提高了LED的发光效率。 GaN基LED的基本结构 复合发光原理 * . LED的光电参数 * . 实验过程 本研究的目标是15*30mil倒装蓝光LED芯片，其制备工艺流程主要有： * .  蒸镀机 合金炉 Samco的RIE-212ICP刻蚀机 PVA-Tepla-AG等离子去胶机 MA-100e自动曝光机 Oxford Plasmalab 80Plus PECVD 所用设备 * . (1)外延片的清洗 制备工艺流程 主要化学药品：ACE（丙酮）、IPA（异丙醇）、HCL、 H2SO4、H2O2等。 在55℃的ACE中浸泡5min、IPA中浸泡1min、在HCL(HCL：H2O为1：1）中浸泡5min、70℃的511（H2SO4、H2O2、H2O为5：1：1）中浸泡3min QDR清洗，即用去离子水喷淋后，当水阻大于15MΩ之后，结束淋洗，最后甩干。 外延片 目的：清洗晶片表面的颗粒、有机物残留、无机物残留、需要去除的氧化层等。 * . (2)ITO的蒸镀、光刻与刻蚀 光刻版Ⅰ 先在ITO蒸镀机上蒸镀一层ITO，厚度在1200?左右 MESA光刻，先进行涂正胶，接着前烘、曝光、显影 去胶：将晶片浸入NMP（二甲基吡咯烷酮）中，在超声波加热器中5min，温度为75℃；接着进行浸入IPA中两次，每次1min；接着进行QDR清洗 合金：在合金炉中进行合金，设定温度550℃，时间为90s ITO的刻蚀：先在ITO刻蚀液中刻蚀，温度为60℃左右，然后再进行ICP刻蚀适当时间 * . (3)ICP深刻沟槽 沉积SiO2 :厚度大约为10000? 光刻：先涂增粘剂，然后涂正胶、前烘，曝光，显影、坚膜、等离子去胶； ICP刻蚀：时间约15min 去胶、QDR清洗 SiO2腐蚀：所用溶液为BOE，其成分为HF、NH4F，刻蚀约2min 光刻版Ⅱ * . （4）蒸镀N区引导层 清洗:在55℃的ACE中浸泡5min、IPA中浸泡1min，QDR清洗 光刻：先涂增粘剂，然后涂负胶、前烘，曝光，显影、坚膜、等离子去胶； 蒸镀N区引导层：蒸镀Cr/Al/Cr，厚度分别为20?、1500?、2000?，设定蒸镀速度为1?/s、20?/s、1?/s 撕金、去胶、QDR清洗 SiO2腐蚀：所用溶液为BOE，其成分为HF、NH4F，刻蚀约1min 沉积SiO2 :厚度大约为3000? 光刻版Ⅲ * . （5）蒸镀反射电极 清洗:在55℃的ACE中浸泡5min、IPA中浸泡1min，QDR清洗 光刻：先涂增粘剂，然后涂负胶、前烘，曝光，显影、坚膜、等离子去胶； 蒸镀反射电极：蒸镀Ni/Ag/Cr，厚度分别为5?、2000?、1000?，蒸镀速度为1?/s、5?/s、1?/s 撕金、去胶、QDR清洗 SiO2腐蚀：所用溶液为BOE，其成分为HF、NH4F，刻蚀约2min 光刻版Ⅱ * . （6）光刻PAD电极 清洗:在55℃的ACE中浸泡5min、IPA中浸泡1min，QDR清洗 光刻：先涂增粘剂，然后涂负胶、前烘，曝光，显影、坚膜、等离子去胶； 去胶、QDR清洗 SiO2腐蚀：结合湿法刻蚀与干法刻蚀，即B