第2章 伺服控制基础知识.pptVIP

5．极间电容： CGS 、CGD 和 CDS 一般厂家仅提供：漏源极短路时的输入电容 Ciss、共源极输出电容Coss 和反向转移电容 Crss，他们之间的关系为： Ciss ＝ CGS ＋CGD Crss ＝ CGD Coss ＝ CDS ＋ CGD ★ 输入电容可近似用 Ciss代替； ★ 这些电容都是非线性的； ★ 漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定了电力MOSFET 的安全工作区； ★ 电力MOSFET 不存在二次击穿问题，这是它的一大优点，实际使用中仍 应注意留适当的裕量。 第61页，共114页，编辑于2022年，星期六 绝缘栅双极晶体管 ★ 绝缘栅双极晶体管 IGBT （Insulated-gate Bipolar Transistor） ★ IGBT结合了GTR 和 MOSFET二者的优点，是两类器件取长补短 相结合而形成的复合器件Bi－MOS，该器件具有良好的特性； ★ GTR的特点：双极型、电流驱动、具有电导调制效应，通流能力 很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂； ★ MOSFET的特点：单极型、电压驱动、开关速度快、输入阻抗高， 热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。 ★ 1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场，在中 小功率电力电子设备中成为主导器件； ★ 其电压和电流容量的容量正在逐步提高，以期取代 GTO的地位。 第62页，共114页，编辑于2022年，星期六 一． IGBT的结构和工作原理 1．图形符号和结构 具有栅极 G、集电极 C 、发射极 E ，为三端器件 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a）内部结构断面示意图 b）简化等效电路 E G C N + N － P N + N + P N + N + P + 发射极 栅极 集电极 注入区 缓冲区 漂移区 J 3 J 2 J 1 G C E G E C + - + - + - I D R N I C V J1 I D R on RN调制电阻 c）电气图形符号 第63页，共114页，编辑于2022年，星期六 2．IGBT的结构 ★ N 沟道的VDMOSFET 与GTR 的组合，构成 N 沟道 IGBT（N-IGBT） ★ IGBT 比VDMOSFET 多一层 P+ 注入区，形成了一个大面积的P+N 结， 从而使 IGBT 导通时由 P+ 注入区向 N— 漂移区发射少子， 从而对漂移区 电导率进行调制，使得 IGBT 具有很强的通流能力； E G C N + N － P N + N + P N + N + P + 发射极 栅极 集电极 注入区 缓冲区 漂移区 J 3 J 2 J 1 第64页，共114页，编辑于2022年，星期六 3．IGBT 的原理 ★ 驱动原理与 MOSFET基本相同，属场控器件，由栅射电压UGE 控制； ★ 导通：当UGE 大于 开启电压 UGE ( th ) 时，MOSFET 内形成沟道，为 晶体管提供基极电流，IGBT 导通； 导通压降：电导调制效应使电阻 RN 减小，使通态压降小； ★ 关断：栅射极之间施加反压或不加信号 时，MOSFET 内的沟道消失，晶体管的 基极电流被切断，IGBT关断； ★ 简化等效电路表明： IGBT 是 GTR 与 MOSFET 组成的达林顿结构，一个由 MOSFET 驱动的厚基区 PNP 晶体管； ★ RN 为晶体管基区内调制电阻。 G E C + - + - + - I D R N I C V J1 I D R on RN 调制电阻 第65页，共114页，编辑于2022年，星期六 二． IGBT的基本特性 O 有源区 正向阻断区 饱 和 区 反向阻断区 a) b) I C U GE(th) U GE O I C U RM U FM U CE U GE(th) U GE 增加 转移特性 输出特性 1．IGBT 的静态特性 （1） 转移特性 IC 与UGE 间的关系，与 MOSFET 转移特性类似； （2）开启电压UGE(th) IGBT 实现电导调制而导通的最低栅射电压 UGE(th) ，随温