溅射镀膜学习.pptx

;;;;;;;;;;;辉光放电图 ;;;;;3. 射频辉光放电（5~30MHz的射频溅射频率下） 特征：（1）减少了放电对二次电子的依赖，降低了击穿电压 （2）溅射材料范围拓宽，可以溅射包括介质材料在内的任何材料 为了溅射沉积绝缘材料，将直流电源换成交流电源后由于交流电源的正负性发生周期交替，当溅射靶处于正半周时，电子流向靶面，中和其表面积累的正电荷，并且积累电子，使其表面呈现负偏压，导致在射频电压的负半周期时吸引正离子轰击靶材，从而实现溅射 。 在射频溅射装置中，等离子体中的电子容易在射频场中吸收能量并在电场内振荡，因此，电子与工作气体分子碰撞并使之电离产生离子的概率变大，故使得击穿电压、放电电压及工作气压显著降低。 ;;;;;;;;;;; （5）靶材温度 　溅射率与靶材温度的依赖关系，主要与靶材物质的升 华能相关的某温度值有关，在低于此温度时，溅射率几乎不变。但是，超过此温度时，溅射率将急剧增大。(图 3-15) ;;;;;;;;;;;第39页/共87页;;;第42页/共87页;; 溅射镀膜的气体压力为101～10-1Pa,此时溅射粒子的平均自由程为1～10cm，因此，靶与基片的距离应与该值大致相等。否则，溅射粒子在迁移过程中将发生多次碰撞，这样，既降低了靶材原子的动能，又增加靶材的散射损失。 　 尽管溅射原子在向基片的迁移输运过程中，会因与工作气体分子碰撞而降低其能量，但是，由于溅射出的靶材原子能量远远高于蒸发原子的能量，所以溅射过程中淀积在基片上靶材原子的能量仍比较大，其值相当于蒸发原子能量的几十至上百倍。 ;;;;;;;;（4）溅射原子的能量比蒸发原子的大许多倍；(图3-16) （5）入射原子的能量低时，溅射原子角度分布就不完全符 合于余弦分布规律。角分布还与入射离子方向有关。 从单晶靶溅射出来的原子趋向于集中在晶体密度最大 的方向。 (图3-22、3-23、3-24) （6）因为电子的质量小，所以，即使用具有极高能量的电 子轰击靶材时，也不会产生溅射现象。　 ;;;;;;;;;;;第63页/共87页;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;第84页/共87页;;;感谢您的观看！