高压RESURF-LDMOS-等效电路模型的研究.pdfVIP

目录 第一章.绪论 …………………………………………………………………… 发展历程 1.2 LDMOS 的概述和研究现状 1.3 LDMOS 模型发展状况 1.4 本文的主要工 第二章.LDMOS 晶体管原理及寄生效应 2.1 RESURF LDMOS 晶体管原理 .1 RESURF 技术 2. LDMOS 的基本结构 2. RESURF 技术在 LDMOS 中的应用 2. PN 结的击穿原理 LDMOS 的寄生效应 Kirk 效应 寄生晶体管效应 自加热效应 热载流子效应 第三章.研究 LDMOS 的物理性质………………………………………… 3.1 LDMOS 的沟道区的物理性质………………………………………… 3.2 LDMOS 的漂移区的物理性质…………………………………………… 第四章 LDMOS 的温度特性 4. LDMOS 中各种寄生效应及其对建模的影响……………………………… 5. LDMOS 的模型及参数设计……………………………………………………