第06章化学气相淀积.pptVIP

§6.2 化学气相淀积系统 第29页，共76页，编辑于2022年，星期五 §6.2 化学气相淀积系统 第30页，共76页，编辑于2022年，星期五 §6.2 化学气相淀积系统 LPCVD系统的优点 反应剂输运到衬底表面的速率提高了，因而淀积速率受表面反应控制，所以对温度比较敏感，温度相对来说较易控制，对反应室结构要求不高，可放置较多的硅片。 具有优异的薄膜均匀度，以及较佳的阶梯覆盖能力，并且可以沉积大面积的芯片。 LPCVD的缺点 沉积速率较低，而且经常使用具有毒性、腐蚀性、可燃性的气体。 由于LPCVD所沉积的薄膜具有较优良的性质，因此在集成电路制程中LPCVD是用以生长单晶薄膜及其对品质要求较高的薄膜。 第31页，共76页，编辑于2022年，星期五 §6.2 化学气相淀积系统 气缺现象 当气体反应剂被消耗而出现的反应剂浓度改变的现象 措施： 在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度，从而提高了淀积速率 采用分布式的气体入口 增加反应室中的气流速度 第32页，共76页，编辑于2022年，星期五 §6.2 化学气相淀积系统 等离子体增强化学气相淀积（Plasma-enhanced CVD，PECVD） 在CVD中，不仅可以利用热能来激活和维持化学反应，也可以通过非热能源的射频等离子体来激活和维持化学反应，而且受激发的分子可以在低温下发生化学反应，故淀积温度可以比APCVD和LPCVD低，但同时又可以提高淀积速率。 原理：等离子体中的电子从电场中获得足够高的能量，当与反应气体的分子碰撞时，这些分子将分解成多种成份：离子、原子以及活性基团，这些活性基团不断吸附在基片表面上，并依靠活性基团之间的化学反应生成薄膜元素，并进一步在表面上生成薄膜。 工艺上PECVD主要用于淀积绝缘层。 是典型的表面反应速率控制过程，要想保证薄膜的均匀性，就必须准确控制衬底的温度。 第33页，共76页，编辑于2022年，星期五 §6.2 化学气相淀积系统 PECVD是在低压气体上施加一个高频电场，使气体电离，产生等离子体。等离子体中的电子和离子，在电场作用下，不断旋转和运动，获得能量而被加速。这些高能粒子与反应气体分子、原子不断发生碰撞，使反应气体电离或被激活成性质活泼的活性基团。高化学活性的反应物可使成膜反应在较低温度下进行。 第34页，共76页，编辑于2022年，星期五 §6.2 化学气相淀积系统 特点 更低的工艺温度 (250 – 450℃)，因而应用范围广。 表面吸附的离子受到离子和电子的轰击，易迁移，发生重新排列。淀积的薄膜有良好的均匀性，以及填充小尺寸结构的能力。 淀积的膜对硅片有优良的黏附能力。 高的淀积速率。 少的针孔和空洞，因为有高的膜密度。 第35页，共76页，编辑于2022年，星期五 §6.2 化学气相淀积系统 第36页，共76页，编辑于2022年，星期五 §6.3 CVD多晶Si的特性和淀积方法 多晶Si薄膜在IC中有许多重要的应用 高掺杂的poly-Si薄膜作为栅电极和互连引线在MOS IC中广泛地应用。 在MOS器件制造中，常常将高电导率的TiSi、WSi、CoSi等做在多晶Si上，从而形成具有更低方块电阻的薄层互联结构。 在双极和BiCMOS技术中，高掺杂的多晶Si薄膜也用来做发射极。 低掺杂多晶Si薄膜在SRAM中可用作高值负载电阻，也可用来填充介质隔离技术中的深槽或浅槽。 第37页，共76页，编辑于2022年，星期五 §6.3 CVD多晶Si的特性和淀积方法 多晶Si薄膜的性质 多晶Si的物理结构以及力学特性 物理结构 多晶Si薄膜由小单晶晶粒（100-200nm）和大量的晶粒间界组成。 多晶Si晶粒内部的性质非常类似于单晶Si，如扩散系数以及替位杂质的性质等。 晶界的不完整性和晶粒表面原子周期性排列受到破坏，所以该区域具有高密度缺陷和悬挂键。 晶界处的扩散系数明显高于晶粒内部的扩散系数。 杂质分布也受到晶粒间界的影响，高温时存在于晶粒内的杂质，在低温时由于分凝作用，一些杂质会从晶粒内部运动到晶界，而在高温时又会返回到晶粒内。 载流子浓度、迁移率、扩散长度、寿命、电阻率等都回受到晶粒间界的影响。 薄膜为非晶或多晶（取决于工艺），非晶经热处理可转为多晶。 力学特性 内部应力为压应力。 第38页，共76页，编辑于2022年，星期五 §6.3 CVD多晶Si的特性和淀积方法 多晶硅的电学特性 在一般的掺杂浓度下，同样的掺杂浓度，多晶硅的电阻率高于单晶硅的电阻率，这有三个原因： 掺杂原子在热处理过程中跑到晶界处（As和P，B不会发生这种现象），不能有效的贡献自由载流子。而晶粒内的杂质浓度降低，导致电阻率升高。 晶界处有大量的悬挂键，可以俘获自由载流子，导致载流子浓度降低。 晶粒间界俘获载流子使得邻近的晶粒耗尽，引起多晶Si内部电势变