电力电子应用技术教学课件(共5章)第5章绝缘栅双极型晶体管及其应用.pptxVIP

第五章 绝缘栅双极型晶体管及其应用 绝缘栅双极型晶体管 contents 目录 无源逆变概述 电压源型逆变电路 电流源型逆变电路 脉宽调制型逆变电路 IGBT的驱动电路与共性问题 PWM整流电路 组合变流电路 电路仿真 第一节 绝缘栅双极型晶体管 工作原理 主要参数 基本结构 基本特性 擎住效应与安全工作区 擎住效应与 安全工作区 主要参数 基本特性 基本结构 绝缘栅双极型晶体管 工作原理 GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单，但通流能力低，并且通态压降大。构成了一种新型复合器件，即绝缘栅双极型晶体管。IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。目前，IGBT在电力电子设备中已成为应用范围广，占有重要地位的半导体器件。 IGBT的外形、结构图及电路图 IGBT是在电力MOSFET的基础上发展起来的，二者结构十分类似，不同之处是IGBT多一层发射极，可形成结，使得IGBT导通时可由注入区向基区发射载流子，对漂移区电导率进行调制。由增加的区引出的电极称为集电极，原VMOS的源区电极称为发射极，称为栅极又称门极。 转移特性