电力电子应用技术课件-器件.pptVIP

1.6.5 电力MOSFET驱动电路 栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5~-15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。 ■ 电压驱动型器件的驱动电路 1.6.5 电力MOSFET驱动电路 ■电力MOSFET的一种驱动电路：电气隔离和晶体管放大电路两部分 图1-43 光电隔离式驱动电路 无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压。 当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压?。 专为驱动电力MOSFET的专用集成电路有很多，较常用的有美国国际整流器公司的IR2110、IR2115和IR2130等等。 1.6.6 IGBT的栅极驱动电路 栅极驱动电压脉冲要有足够陡的上升沿和下降沿。从而使IGBT快速开通和关断，减少开关时间和开关损耗。 IGBT栅极－发射极峰值电压最高为±20—±30V，驱动电压一般取15V；关断时需要施加一定幅值的负驱动电压，一般取-2~-15V，从而提高关断的可靠性，防止误导通。 IGBT是电压型驱动器件，驱动功率相对于GTR很小，主要用于对栅极