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电容 电容器包括固定电容器和可变电容器两大类。其中固定电容器又可根据其介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。以下附表列出了常见电容器的字母符号。 电容 1、? 标称电容量（CR） 电容器产品标出的电容量值。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在5000pF以下）；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中（大约在）；通常电解电容器的容量较大。这是一个粗略的分类法。 电容 2、类别温度范围 电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围。该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度（可以连续施加额定电压的最高环境温度）等。 电容 3、额定电压（UR） 在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。电容器应用在高电压场和时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不得超过电容器的额定电压。 电容 4、损耗角正切（tgδ） 在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如附图所示。对于电子设备来说，要求RS愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角要小。??这个关系为：tgδ=RS/XC=2*3.14*f*C* RS 。因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大而影响寿命。 电容 5、瓷介电容 瓷介电容分类： CC1 一类高频低压瓷介电容器 CT1 二类低频低压瓷介电容器 CS1 三类低频低压瓷介电容器 CC81 一类高频高压瓷介电容器 CT81 二类低频高压瓷介电容器 CT7 交流安规瓷介电容器 瓷介电容 电容 使用用途：CC1\CC81型高频瓷介电容器也称作温度补偿型电容器，具有较低的介电常数，稳定性高损耗低，电容量随温度变化近似线性。主要用于谐振回路和需要补偿温度效应的电路（高稳定电路）中；CT1\CT81型低频瓷介电容器也称高介瓷介电容器，主要以钛酸钡为基制成，具有容量大，体积小，损耗低的特点，在电路中主要作隔直、旁路、耦合使用；CS1型半导体电容器具有较高的介电常数，电容器体积更小，电容量更大，更经济，适用于小型化电路中；CT7型交流瓷介电容器主要用于电子设备交流主回路中以抑制电干扰，产品一般采用环氧树脂包封。 电解电容 电容器的电容量由测量交流电容量时所呈现的阻抗决定，交流电容量随频率、电压以及测量方法的变化而变化，铝电解电容的容量随频率的增加而减小。和频率一样，测量时的温度对电容器的容量有一定的影响，随着测量温度的下降，电容量会变小。另一方面，直流电容量，可通过施加直流电压而测量其电荷得到。在常温下容量比交流稍大一点，并且具有更优越的稳定特性。 电解电容 电解电容 漏电流：电容器的介质对直流电具有很大的阻碍作用，然而由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流，刚施加电压时，漏电流较大，随着时间的延长，漏电流会逐渐减小并最终保持稳定，测试温度和电压对漏电流具有很大的影响，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。 二极管 半导体二极管由一个PN结，再加上电极、引线，封装而成。 二极管 正向特性：特性曲线的第一象限部分，曲线呈指数曲线形状，非线性。正向电压很低时正向电流几乎为0，这一区间称为“死区”，对应的电压范围称为死区电压或阈值电压，锗管的死区电压大约为，硅管的死区电压约为； 反向特性：反向电流很小，但当反向电压过高时，PN结发生击穿，反向电流急剧增大。 二极管 三极管 1、 三极管的结构及类型 通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：如图（1）、（2）所示 三极管 三极管 三极管的输出特性曲线 变压器 例：双路：TF2-A80+D30 –1F 表示带保护器双路输出变压器，一组输出为：，800mA，另一组为，300 mA，安装方式为翻边孔，使用电压220～240V，50/60Hz，设计代号为1。 单路：T C1 –B80-2，表示单路输出插针式变压器，不带保护器，使用电压110V /60HZ，9V/800mA，设