半导体器件物理专题 HEMT 课件.pptVIP

. HEMT （High Electron Mobility Transistor) 高电子迁移率晶体管 小组成员 制作PPT 收集资料 * . HEMT简介 HEMT的应用方向 HEMT的发明 两种类型的HEMT 介绍内容 * . 一.HEMT简介 HEMT，高电子迁移率晶体管是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。 * . 一.HEMT简介 一般说来HEMT的发明是归功于日本人Takashi Mimura (三村 高志) (Fujitsu, Japan)。 而在美国, Ray Dingle 和他的同事们在贝尔实验室（ Bell Laboratories ）首次在MBE（分子束外延）生长的调制掺杂GaAs/AlGaAs超晶格中观察到了相当高的电子迁移率，为HEMT的发明做出了巨大贡献。在欧洲，来自Thomson-CSF (France)现为Thales Group的 Daniel Delagebeaudeuf 和 Trong Linh Nuyen在 1979年3月28日为一个他们设计的HEMT设备申请了专利。 1980年日本富