半导体制程简介 (NXPowerLite).pptVIP

Nitride removal Pad Oxide Remove SAC OX Function: 1.避免光阻和Si表面直接接触, 造成污染 2.避免在离子注入时,产生穿隧效应, 使dopant profile得到较好的控制 110? SAC Oxide NITRIDE REMOVAL * . P_Well Photo(Core and I/O) Implant: P WELL IMP （transistor) N CHANNEL IMP (防止穿通，也可以调整Vt） N_VT IMP （调整Vt) P WELL N pthru N_VT P-WELL * . N_Well Photo (Core and I/O) Implant: N WELL IMP ( transistor) P CHANNEL IMP (防止穿通，也可以调整Vt） VTP IMP （调整Vt) Resist Strip IMPLANT DAMAGE ANNEAL STD CLEAN 1000C; 10sec N-Well P-Well P-VT P-pthru N-WELL * . GATE OX SAC OXIDE REMOVE 50:1 HF GATE1_OX STEP-1 :SPM+HF STE