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2022-08-24 发布于广东
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电磁屏蔽技术.ppt

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杨继深 2004年5月电话 010截止波导管损耗频率 fc 截止频率频率高的电磁波能通过波导管，频率低的电磁波损耗很大！工作在截止区的波导管叫截止波导。截止区第29页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010截止波导管的屏效截止波导管屏蔽效能 = 反射损耗：远场区计算公式近场区计算公式 + 吸收损耗圆形截止波导： 32 t / d 矩形截止波导： 27.2 t / l 孔洞计算屏蔽效能公式第30页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010截止波导管的损耗第31页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010截止波导管的设计步骤孔洞的泄漏不能满足屏蔽要求SE 确定截止波导管的截面形状确定要屏蔽的最高的频率 f 确定波导管的截止频率 fc 计算截止波导管的截面尺寸由SE 确定截止波导管的长度 5f 第32页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2002 杨继深 2002 杨继深 2002 电磁屏蔽技术杨继深 2004年5月电话 010第1页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010电磁屏蔽屏蔽前的场强E1 屏蔽后的场强E2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 第2页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗A R1 R2 SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B ＝ R＋ A＋B B 第3页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010吸收损耗的计算 t 入射电磁波E0 剩余电磁波E1 E1 = E0e-t/? A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB 0.37E0 ? A ＝ 8.69 ( t / ? ) dB A = 3.34 t ? f ?r?r dB 第4页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010趋肤深度举例第5页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010反射损耗 R ＝ 20 lg ZW 4 Zs 反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。 ZS = 3.68 ?10-7? f ?r/?r 远场：377? 近场：取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变第6页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010不同电磁波的反射损耗远场: R ＝ 20 lg 377 4 Zs 4500 Zs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m） f = 电磁波的频率（MHz） 2 D f D f Zs Zs 电场: R ＝ 20 lg 磁场: R ＝ 20 lg dB 第7页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010影响反射损耗的因素 150 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M 平面波 3? 108 / 2?r f R(dB) r = 30 m 电场r = 1 m 靠近辐射源 r = 30 m 磁场 r = 1 m 靠近辐射源第8页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2004年5月电话 010综合屏蔽效能 (0.5mm铝板) 150 250 平面波 0 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 高频时电磁波种类的影响很小电场波 r = 0.5 m 磁场波 r = 0.5 m 屏蔽效能（dB）频率第9页，共45页，编辑于2022年，星期五杨继深 2