金属半导体结.pptxVIP

第1页/共82页 引言金属-半导体结器件是应用于电子学的最古老的固态器件。1874年，布朗（Brawn）就提出了金属与硫化铅晶体接触具有不对称的导电特性。1906年，皮卡德（Pickard）获得了硅点接触整流器专利。1907年，皮尔斯（Pierce）提出，在各种半导体上溅射金属可以制成整流二极管。第2页/共82页 引言二十年代，出现钨-硫化铅点接触整流器和氧化亚铜整硫器。1931年，肖特基(Schottky)等人提出M-S接触处可能存在某种“势垒”的想法。1932年，威尔逊（Wilson）等用量子理论的隧道效应和势垒的概念解释了M-S接触的整流效应。1938年，肖特基和莫特（Mott）各自独立提出电子以漂移和扩散方式越过势垒观点。塔姆（Tamm）提出表面态概念。第3页/共82页 引言1947年，巴丁（Bardein）提出巴丁势垒模型。50年代，由于点接触二极管的重复性很差，大多数情况下它们已由PN结二极管所代替。70年代，采用新的半导体平面工艺和真空工艺来制造具有重复性的金属-半导体接触，使金属-半导体结器件获得迅速的发展和应用。第4页/共82页 引言非整流结不论外加电压的极性如何都具有低的欧姆压降而且不呈整流效应。非整流接触几乎对所有半导体器件的研制和生产都是不可缺少的部分，因为所有半导体器件都需要用欧姆接触与其它器件或电路元件相连接。第5页/共82页第四章 金属-半导体结4.1