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- 2022-08-25 发布于山东
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模拟电子技术复习资料总结
第一章半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和混杂特性。
3.本征半导体----纯净的拥有单晶体构造的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的混杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6.杂质半导体的特性
载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
体电阻---往常把杂质半导体自己的电阻称为体电阻。
转型---经过改变混杂浓度,一种杂质半导体能够改型为此外一种杂质半导体。
PN结
*PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。
PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
PN结的伏安特性
.半导体二极管
单向导电性------正向导通,反向截止。
二极管伏安特性----同PN结。
正向导通压降------硅管~,锗管~。
死区电压------硅管,锗管。
3.剖析方法------将二极管断开,剖析二极管两头电位的高低:
若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳V
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