功能材料基础与应用 课件（化工） 2.2 半导体的基本理论.pptx

2.2 半导体的基本理论;半导体的特有性质—光电导效应;半导体的特有性质—整流效应;半导体的特有性质—光生伏特效应;硅共价晶体能带图的演变过程 ; 本征激发过程;（1）本征载流子浓度和费米能级; 本征载流子浓度除了与温度有关外，还与禁带宽度Eg有关。300K时，纯硅Eg=1.12eV，ni=1.5×1010个·cm-3；纯锗Eg=0.72eV，ni =2.4×1013个·cm-3；单晶砷化镓Eg=1.424eV，ni =1.8×106个·cm-3。可见本征半导体在室温下电子-空穴浓度与金属自由电子浓度（约为1022个·cm-3）相比显得极少，因此他们只有很微弱的导电能力。;（2）本征半导体的迁移率;半导体材料;（3）本征半导体的电导率 在电场作用下，自由电子的漂移运动与电场方向相反，空穴漂移运动与电场方向相同的，因此，自由电子和空穴都具有导电能力。半导体的电导率可以看作是两者叠加的结果，其电导率σ为：;例 有某种半导体，实验测出其在20℃下的电导率为250Ω-1.m-1，100℃时为1100Ω-1.m-1，问能隙Eg有多大？已知玻尔兹曼常数k=1.3805×10-23J/K，电子电荷q=1.6021×10-19C。 解： 根据式 ，有：;2.2.3 半导体掺杂的性质 本征半导体电导率不易控制，受温度影响很大。在本征半导体中掺入一定杂质元素，可能大大地改变能带中的电子浓度或空穴浓度。实际使用半导体都是掺杂半导体。; 也就是说，这个额外电子与原子结合不够紧密，能量较高，只需要较小的能量Ed就可以进入导带。 Ed称为施主能级，比较接近导带底的能量。 控制半导体的电导率就不再是Eg，而是Ed;3）施主耗尽 一般半导体材料选择在施主耗尽即显示平台温度范围内工作。通常，具有高能隙的半导体，也有最宽平台温度范围。;额外的空穴; 受主杂质接受一个电子并产生空穴所需克服的势垒只稍高于价带，以受主能级Ea表示。;自补偿效应;电中性条件;2.2.4 PN结的特性; PN结是许多半导体器件的基本组成单元，如结型二极管、晶体三极管。 PN结具有单向导电特性，因此许多重要的半导体效应（整流、放大、击穿、光生伏特效应等）都是发生在PN结所在的地方。;（2）PN结的电流电压特性 PN结具有众多基本特性，例如电流电压特性、电容效应、隧道效应、雪崩效应、开关特性、光电效应等。其中电流电压特性（I-V）特性是PN结最基本的性质。当PN结两侧施加外电压时，若P型侧接正电压，N型侧接负电压，则有电流从P区流向N区；若施加电压为反方向时，则几乎没有电流产生。;1. 简要说明半导体的导电特点？ 2. 简要解释本征半导体、本征激发、掺杂半导体，杂质能级，N型半导体、P型半导体、施主耗尽、受主饱和？ 3. 解释半导体费米能级的位置？ 4. 本征半导体和杂质半导体电导率与温度之间的关系？ 5. 解释PN结的形成、单向导电性以及主要应用？ 6. 求N型半导体和P型半导体载流子浓度？