cigs薄膜太阳能电池.pptVIP

在真空室内部安装自行设计加工的Cu、In、Ga和Se独立蒸发源、衬底支架和衬底加热器。蒸发源由陶瓷圆柱型增锅、缠绕在增锅外的Mo丝加热器以及增锅底部的热电偶组成，采用PID自动温度控制仪控温.。Cu，In和Ga源成品字形排列，均倾斜一个微小的角度，将蒸发口对准衬底中心，衬底距离蒸发源280mm。硒蒸发源安装的位置高于Cu、In和Ga蒸发源。在蒸发过程中，硒源的蒸发温度较低、蒸发速率较大，容易受其他蒸发源及衬底加热器的影响，为此将真空室内各加热器的功率设计到最小。 CIGS真空蒸发系统结构示意图 后硒化法 硒化工艺一般分为两步:第一步是在基板温度低于200 0C下将Cu- In或者Cu- In- Ga等预制层沉积在基板上;第一步是在H2Se +Ar或Se气氛中对前驱体进行热处理口。硒化工艺的优点是不存在高温In沉积问题，易于控制薄膜中各元素的化学计量比、膜的厚度和成分的均匀分布且对设备要求不高，已成为目前产业化中的首选工艺。 在硒化过程中，H2Se是最好的硒源，但H2Se的最大缺点是其具有毒性且容易挥发，需要高压容器储存。固态Se作为硒源，Se压难以控制，在热处理过程中会导致In、Ga等元素的损失，在大规模生产中有很多问题，但是无毒。 为了避免传统硒化工艺上长时间的热处理造成Cu、In损失及不必要的扩散或氧化，快速热处理工艺（rapid thermal proces