集成电路制造技术-原理与工艺习题答案（第2单元）.docxVIP

第二单元习题解答 . Si02膜网络结构特点是什么？氧和杂质在SiOz网络结构中的作用和用途是什 么？对S 02膜性能有哪些影响？ 二氧化硅的基本结构单元为Si-0四面体网络状结构，四面体中心为硅原子，四个顶角 上为氧原子。对SiO2网络在结构上具备“长程无序、短程有序”的一类固态无定形体或玻 璃体。半导体工艺中形成和利用的都是这种无定形的玻璃态SiO2o 氧在SiO2网络中起桥联氧原子或非桥联氧原子作用，桥联氧原子的数目越多，网络结 合越紧密，反之那么越疏松。在连接两个Si-0四面体之间的氧原子 掺入SiO2中的杂质，按它们在SiO2网络中所处的位置来说，基本上可以有两类：替代 （位）式杂质或间隙式杂质。取代Si-0四面体中Si原子位置的杂质为替代（位）式杂质。 这类杂质主要是mA, VA元素，如B、P等，这类杂质的特点是离子半径与Si原子的半径 相接近或更小，在网络结构中能替代或占据Si原子位置，亦称为网络形成杂质。 由于它们的价电子数往往和硅不同，所以当其取代硅原子位置后，会使网络的结构和性 质发生变化。如杂质磷进入二氧化硅构成的薄膜称为磷硅玻璃，记为PSG；杂质硼进入二 氧化硅构成的薄膜称为硼硅玻璃，记为BSGo当它们替代硅原子的位置后，其配位数将发 生改变。 具有较大离子半径的杂质进入SiCh网络只能占据网络中间隙孔（洞）位置，成为网络 变形（改变）杂质，如Na、K、Ca