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第四章 激光器及光发射机 4.1 半导体激光器 4.1.1 法布里-珀罗型激光器F-P LD 4.1.2 分布反馈激光器DFB LD 4.1.3 分布Bragg反射型激光器DBR LD 4.1.4 量子阱激光器QW LD 4.1.5 垂直腔面发射激光器VCSEL 4.2 半导体激光器的工作特性 4.3 光发射机 4.2 半导体激光器的工作特性 激光器件的绝对最大额定值： 光输出功率（Po和Pf）：从一个未损伤器件可辐射出的最大连续光输出功率。 Po是从器件端面输出的光功率， Pf是从带有尾纤器件输出的光功率。 正向电流（IF）：可以施加到器件上且不产生器件损伤的最大连续正向电流。 反向电压（VR）：可以施加到器件上且不产生器件损伤的最大方向电压。 一、半导体激光器的P－I特性 典型的P－I曲线 P－I曲线：激光二极管的总发射光功率P与注入电流I的关系曲线。 随注入电流增加，激光二极管首先是渐渐地增加自发发射，直至开始发射受激发射。 1. 阈值电流Ith：开始发射受激发射的电流值。阈值电流与腔的损耗、尺寸、有源区材料和厚度等因素有关。 IIth，自发辐射，发出的是非相干光 IIth，受激辐射，发出的是相干光 表示激光器件把注入的电子－空穴对（注入电荷）转换成从器件发射的光子（输出光）的效率。是一个以百分数（％）度量的性能系数。 一个把100％注入电流转换成输出光的理想假设器件(即器件没有以热形式消耗)，在理论上应具有100％的?e。 ?e可从P-I特性的斜率（阈值以上）dP/dI求得： （对GaALAs材料） 2. 外微分量子效率?e： 内量子效率?i是衡量激光二极管把电子－空穴对（注入电流）转换成光子能力的一个参数。 与?e不同的的是， ?i与激光二极管的几何尺寸无关，是评价激光二极管半导体晶片质量的主要参数。 ?i和?e既又关系又有差别。 ?i是激光二极管把电子－空穴对（注入电流）转换成光子（光）效率的直接表示，但要注意，并非所有光子都出射成为输出光，有些光子由于各种内部损耗而被重新吸收。 ?e是激光二极管把电子－空穴对（注入电流）转换成输出光的效率象征。 ?e总是比?i小。 内量子效率?i= 有源区内每秒钟产生的光子数 有源区内每秒钟注入的电子-空穴对数 3. 内量子效率?i： T0--LD的特征温度，与器件的材料、结构等有关。T0代表Ith对温度的灵敏度，也可解释为激光二极管的热稳定性。较高的T0意味着当温度快速增加时，激光二极管Ith增加不大。 对于GaAs/GaALAs LD T0=100~150K；InGaAsP/InP-LD T0=40~70K。 不同温度下的P－I曲线 4. 温度特性：温度升高时性能下降，阈值电流随温度按指数增长。 LD的模式特性首先取决于光腔的三个线度（横向、侧向、纵向的尺寸）及介质特性。通常腔内能存在许多模式，但只有获得净增益（满足阈值条件）的那些模式才能被激励，它的频率才会出现在输出光中。在实际应用中，模式的稳定性和线宽是对系统性能影响较大的两个参量。 LD工作在基横模时，相干性最好，因此要求LD在设计和结构上保证基横模工作。根据基横模的条件通过对光载流子的横向以及垂直向限制、减小有源区宽度和厚度等措施可以实现LD的基横模工作。 (详见《激光原理》) 二、半导体激光器的模式特性 1、激光器纵模的概念： 激光器的纵模反映激光器的光谱性质。对于半导体激光器，当注入电流低于阈值时，发射光谱是导带和价带的自发发射谱，谱线较宽；只有当激光器的注入电流大于阈值后，谐振腔里的增益才大于损耗，自发发射谱线中满足驻波条件的光频率才能在谐振腔里振荡并建立起场强，这个场强使粒子数反转分布的能级间产生受激辐射，而其他频率的光却受到抑制，使激光器的输出光谱呈现出以一个或几个模式振荡，这种振荡称之为激光器的纵模。 图10.8 不含波长变换器OXC (2) 分送耦合交换OXC结构 分送耦合交换OXCOXC的结构示意图，图中的波长变换器具有波长选择功能，也可以起到滤波的功能。 图10.10 耦合交换OXC结构 (3) 波长交换OXC结构 波长交换OXC结构如图10.11所示。这种交换结构方案的交换机制主要是在频域进行的，交换通过波长来完成。该结构具有严格的无阻塞特性，如果在设计星形耦合器(SC)数量的时候，留够足够的冗余。该结构还具有波长和链路模块性，便于网络的升级扩容。 图10.11 基于波长交换OXC结构 2. 波长变换技术 全光网在干线网的交叉点引入光交叉连接和波长变换器，从而形成端到端的虚波长通道，只要各段链路分别存在未被占用的空闲波长，就可以通过波长