PSS的生产工艺及原理.pptVIP

2.5 对准曝光 曝光工具： A、接触式光刻机 B、接近式光刻机 C、步进重复式曝光系统 D、扫描式曝光系统 NSR Utratech 第三十一页，共六十二页。 2.5 曝光工艺控制 1、环境影响 2、光刻胶影响 3、曝光灯 4、掩膜板工艺 5、晶片质量 6、曝光时间、强度分布 7、聚集、步进设置等 第三十二页，共六十二页。 2.5 曝光工艺——能量 第三十三页，共六十二页。 2.5曝光工艺——DOF 第三十四页，共六十二页。 2.5 曝光工艺——ALIGNMENT 对准机制：在wafer曝光台上有一基准标记，可以把它看作是坐标系的原点，所有其它的位置都相对该点来确定，分别将掩模版和硅片与该基准标记对准就可确定它们的位置，在确定了二者的位置后，掩模版上的图形转移到硅片上就完成了对准过程；在多次光刻中，除了第一光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准。 第三十五页，共六十二页。 三角 拼接异常 2.5 曝光缺陷 第三十六页，共六十二页。 2.6 后烘 使曝光后光刻胶中有机溶剂得到挥发 减少驻波影响 主要用于负胶工艺 第三十七页，共六十二页。 2.7 显影 用化学显影液将曝光造成的光刻胶的可溶解区域溶解就是光刻胶的显影， 其主要目的就是把掩膜版的图形准确复制到光刻胶中 常见的显影液有：NaOH(Shipley 351），KOH(Shipley 606）